ON Semiconductor
FDS6984AS
MOSFET Transistor, Dual N Channel + Schottky, 8.5 A, 30 V, 0.017 ohm, 10 V, 1.7 V
Цена от 32,76 ₽ до 121,96 ₽
Наличие ON Semiconductor FDS6984AS на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 33425 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 32,76 ₽ до 95,17 ₽
На складе 1380 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:31 01.03.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 1495 шт.
MOQ 16 шт.
Обновлено 17:40 02.03.2021
На складе 33425 шт.
MOQ 794 шт.
Обновлено 03:45 02.03.2021
На складе 1495 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:25 02.03.2021
Упаковка Cut Tape На складе 3817 шт.
Обновлено 10:12 02.03.2021
На складе 621 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
На складе 3850 шт.
Обновлено 22:47 24.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 581 шт.
MOQ от 5 шт.
Цена от 99,93 ₽ до 121,96 ₽
На складе 581 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 07:17 02.03.2021
На складе 581 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 07:17 02.03.2021
В наличии до 1495 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 48,99 ₽ до 63,18 ₽
На складе 1495 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:48 02.03.2021
Технические характеристики ON Semiconductor FDS6984AS, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
30.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SO
Continuous Drain Current (Ids):
8.50 A, 5.50 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
8
Полярность:
Dual N-Channel
Рассеяние мощности:
2.00 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
20.0 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
- MOSFET Transistor, Dual N Channel + Schottky, 8.5 A, 30 V, 0.017 ohm, 10 V, 1.7 V
- Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 5.5A/8.5A 8-Pin SOIC T/R
- Dual N-Channel 30 V 32 mOhm 2 W Power Trench Mosfet - SOIC-8
- МОП-транзистор, ДВОЙНОЙ, N, SMD, SO-8
- Тип транзистора: PowerTrench
- Полярность транзистора: N
- Напряжение, Vds Тип: 30 В
- Current, Id Cont:5.5A
- Resistance, Rds On:31mohm
- Напряжение, ВГС при измерении: 10В
- Voltage, Vgs th Typ:1.8V
- Case Style:SOIC
- Тип завершения: SMD
- Current, Id Cont N Channel 2:5.5A
- Current, Id Cont N Channel 3:8.5A
- Ток, Idm Импульсный N канал 2: 20A
- Ток, Idm Импульсный N канал 3: 30A
- Количество контактов: 8
- Рассеиваемая мощность: 2 Вт
- Resistance, Rds on N Channel 1:0.02ohm
- Resistance, Rds on N Channel 2:0.031ohm
- Транзисторы, Кол-во: 1
- Напряжение, Vds Max: 30 В
- The FDS6984AS is designed to replace two single SO-8 MOSFETs and Schottky diode in synchronous DC:DC power supplies that provide various peripheral voltages for notebook computers and other battery powered electronic devices. FDS6984AS contains two unique 30V, N-channel, logic level, PowerTrench MOSFETs designed to maximize power conversion efficiency.The high-side switch (Q1) is designed with specific emphasis on reducing switching losses while the lowside switch (Q2) is optimized to reduce conduction losses. Q2 also includes a patented combination of a MOSFET monolithically integrated with a Schottky diode.