Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
FDS8447

N-Channel 40 V 10.5 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8

Цена от 24,94 ₽ до 541,67 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor FDS8447 на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 4
В наличии до 10000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 28,88 ₽ до 541,67 ₽
Европейский союз
На складе 10000 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 08:07 30.12.2020
35,06 ₽ от 2500 шт.
33,00 ₽ от 5000 шт.
30,94 ₽ от 10000 шт.
29,91 ₽ от 15000 шт.
28,88 ₽ от 20000 шт.
Польша
На складе 1593 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:00 29.12.2020
96,33 ₽ от 1 шт.
58,64 ₽ от 5 шт.
46,07 ₽ от 25 шт.
41,88 ₽ от 100 шт.
39,09 ₽ от 500 шт.
Британия
На складе 3685 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 18:27 28.12.2020
123,27 ₽ от 5 шт.
Британия
На складе 6380 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:39 29.12.2020
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
541,67 ₽ от 1 шт.
429,12 ₽ от 10 шт.
271,54 ₽ от 100 шт.
234,96 ₽ от 500 шт.
188,53 ₽ от 1000 шт.
178,68 ₽ от 5000 шт.
Америка 16
В наличии до 35679 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 24,94 ₽ до 99,16 ₽
США
На складе 2500 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 17:49 29.12.2020
24,94 ₽ от 2500 шт.
США
На складе 482 шт.
Обновлено 09:57 30.12.2020
28,83 ₽ от 1 шт.
28,24 ₽ от 25 шт.
27,67 ₽ от 100 шт.
27,10 ₽ от 500 шт.
26,52 ₽ от 1000 шт.
Канада
На складе 35000 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 01:41 30.12.2020
Упаковка Tape & Reel
37,29 ₽ от 2500 шт.
35,60 ₽ от 5000 шт.
33,90 ₽ от 7500 шт.
32,21 ₽ от 10000 шт.
30,51 ₽ от 12500 шт.
США
На складе 5000 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:56 30.12.2020
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
99,16 ₽ от 1 шт.
79,19 ₽ от 10 шт.
53,60 ₽ от 100 шт.
46,25 ₽ от 500 шт.
40,40 ₽ от 1000 шт.
32,71 ₽ от 2500 шт.
31,68 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 4228 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 18:59 28.12.2020
Упаковка Tape & Reel
84,97 ₽ от 1 шт.
69,74 ₽ от 10 шт.
69,74 ₽ от 50 шт.
48,89 ₽ от 100 шт.
35,98 ₽ от 1000 шт.
32,11 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 2500 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:28 29.12.2020
Упаковка Cut Tape
88,20 ₽ от 1 шт.
77,20 ₽ от 10 шт.
72,52 ₽ от 25 шт.
52,63 ₽ от 100 шт.
50,75 ₽ от 250 шт.
43,97 ₽ от 500 шт.
37,43 ₽ от 1000 шт.
35,08 ₽ от 2500 шт.
32,74 ₽ от 5000 шт.
США
На складе 4228 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:19 29.12.2020
Упаковка Cut Tape
84,97 ₽ от 1 шт.
74,38 ₽ от 10 шт.
69,88 ₽ от 25 шт.
50,71 ₽ от 100 шт.
42,36 ₽ от 500 шт.
36,05 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 153 шт.
Обновлено 11:28 29.12.2020
82,63 ₽ от 1 шт.
68,86 ₽ от 8 шт.
55,09 ₽ от 34 шт.
38,56 ₽ от 126 шт.
США
На складе 22500 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 17:49 29.12.2020
42,59 ₽ от 2500 шт.
Канада
На складе 35679 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:41 30.12.2020
Упаковка Cut Tape
85,32 ₽ от 1 шт.
58,20 ₽ от 50 шт.
54,81 ₽ от 100 шт.
50,29 ₽ от 250 шт.
46,90 ₽ от 500 шт.
США
На складе 2500 шт.
MOQ 26 шт.
Обновлено 17:49 29.12.2020
84,81 ₽ от 26 шт.
США
На складе 2500 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 16:28 29.12.2020
Цена по запросу.
США
На складе 500 шт.
Обновлено 23:02 14.12.2020
Цена по запросу.
США
На складе 10 шт.
Обновлено 23:13 18.12.2020
Цена по запросу.
США
На складе 9625 шт.
Обновлено 19:52 22.12.2020
Цена по запросу.
США
На складе 10164 шт.
Обновлено 19:08 29.12.2020
Цена по запросу.
Азия 4
В наличии до 23389 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 36,35 ₽ до 123,23 ₽
Китай
На складе 2500 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:56 29.12.2020
97,90 ₽ от 1 шт.
85,70 ₽ от 10 шт.
80,50 ₽ от 25 шт.
58,42 ₽ от 100 шт.
56,33 ₽ от 250 шт.
48,80 ₽ от 500 шт.
41,54 ₽ от 1000 шт.
38,94 ₽ от 2500 шт.
36,35 ₽ от 5000 шт.
Китай
На складе 2503 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:35 29.12.2020
66,58 ₽ от 1 шт.
49,98 ₽ от 10 шт.
46,93 ₽ от 30 шт.
43,87 ₽ от 100 шт.
42,35 ₽ от 500 шт.
41,69 ₽ от 1000 шт.
Сингапур
На складе 5000 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:56 29.12.2020
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
111,85 ₽ от 1 шт.
92,06 ₽ от 10 шт.
64,62 ₽ от 100 шт.
55,83 ₽ от 500 шт.
47,42 ₽ от 1000 шт.
44,64 ₽ от 2500 шт.
42,45 ₽ от 5000 шт.
Китай
На складе 23389 шт.
MOQ 55 шт.
Обновлено 06:03 30.12.2020
123,23 ₽ от 55 шт.
104,32 ₽ от 125 шт.
101,14 ₽ от 190 шт.
97,97 ₽ от 260 шт.
94,80 ₽ от 335 шт.
85,28 ₽ от 450 шт.

Технические характеристики ON Semiconductor FDS8447, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
40.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Текущий рейтинг:
12.8 A
Gate Charge:
49.0 nC
Continuous Drain Current (Ids):
12.8 A
Входная емкость:
2.60 nF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество выводов:
8
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
2.50 W (max)
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
10.5 Ω
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
40.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
40.0 V
  • N-Channel 40 V 10.5 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
  • N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 12.8A, 10.5mΩ
  • Trans MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-Pin SOIC N T/R
  • 40V, 12.8A, 10.5 OHM,SINGLE, NCH POWER TRENCH MOSFET
  • This single N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
  • МОП-транзистор, N, SMD, SO-8
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current Id:12.8A
  • Напряжение источника стока Vds: 40 В
  • На сопротивлении Rds (вкл.): 10,5 МОм
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
  • Пороговое напряжение Vgs Typ: 1,8 В
  • Power Dissipation Pd:2.5mW
  • Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C
  • Тип корпуса транзистора: SOIC
  • Количество контактов: 8
  • SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
  • Current Id Max:12.8A
  • Количество транзисторов: 1
  • Упаковка / ящик: SOIC
  • Power Dissipation Pd:2.5mW
  • Импульсный ток Idm: 50A
  • Тип завершения: SMD
  • Voltage Vds Typ:40V
  • Максимальное напряжение Vgs: 1,8 В
  • Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В

Документы по ON Semiconductor FDS8447, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(6 страниц, 14.12.2006)
Заявление о достижении
(3 страницы, 31.08.2013)
Лист материалов
(3 страницы, 31.08.2013)
Заявление Rohs
(1 страница, 26.04.2012)