Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
FDS8934A

Trans Mosfet P-ch 20V 4A 8-PIN SOIC N T/r

Цена от 61,32 ₽ до 167,25 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor FDS8934A на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 4
В наличии до 47862 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена от 61,32 ₽ до 167,25 ₽
США
На складе 2467 шт.
Обновлено 14:13 05.03.2021
167,25 ₽ от 1 шт.
139,37 ₽ от 4 шт.
100,35 ₽ от 14 шт.
78,05 ₽ от 59 шт.
69,69 ₽ от 299 шт.
61,32 ₽ от 1334 шт.
США
На складе 47862 шт.
MOQ 501 шт.
Обновлено 02:41 06.03.2021
82,33 ₽ от 501 шт.
81,17 ₽ от 510 шт.
78,85 ₽ от 1100 шт.
77,11 ₽ от 2600 шт.
74,21 ₽ от 5100 шт.
72,47 ₽ от 26000 шт.
70,73 ₽ от 51000 шт.
США
На складе 47862 шт.
Обновлено 10:00 06.03.2021
78,05 ₽ от 1 шт.
76,49 ₽ от 25 шт.
74,93 ₽ от 100 шт.
73,37 ₽ от 500 шт.
71,80 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 790 шт.
Обновлено 23:01 04.03.2021
Цена по запросу.
Европа 1
В наличии до 80 шт.
MOQ от 100 шт.
Швеция
На складе 80 шт.
Обновлено 07:54 05.03.2021
Цена по запросу.
Азия 1
В наличии до 13500 шт.
MOQ от 100 шт.
Китай
На складе 13500 шт.
Обновлено 03:43 05.03.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor FDS8934A, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
-20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Текущий рейтинг:
-4.00 A
Gate Charge:
20.0 nC
Continuous Drain Current (Ids):
-4.00 A
Входная емкость:
1.13 nF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Obsolete
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Tape
Количество выводов:
8
Полярность:
P-Channel, Dual P-Channel
Рассеяние мощности:
2.00 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
55.0 mΩ
Время нарастания:
23.0 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
-20.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
-20.0 V
  • Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
  • МОП-транзистор
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность транзистора: двойной канал P
  • Напряжение истока стока, Vds: -20V
  • Continuous Drain Current, Id:-4A
  • On Resistance, Rds(on):0.055ohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:-4.5V
  • Package/Case:8-SOIC
  • Соответствует RoHS: Да
  • SO-8 P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. These devices are particularly suited for low voltage applications such as notebook computer power management and other battery powered circuits where fast switching, low in-line power loss, and resistance to transients are needed.

Документы по ON Semiconductor FDS8934A, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(5 страниц, 19.11.2001)
Заявление о достижении
(2 страницы, 20.12.2012)
Заявление Rohs
(1 страница, 26.04.2012)