Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
FDS9934C

Двойной N и P-канал 20 В, 30 мОм PowerTrench® Mosfet - SOIC-8

Цена от 32,84 ₽ до 107,49 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor FDS9934C на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 14
В наличии до 40425 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 32,84 ₽ до 102,15 ₽
США
На складе 806 шт.
Обновлено 09:55 16.02.2021
35,70 ₽ от 1 шт.
34,97 ₽ от 25 шт.
34,26 ₽ от 100 шт.
33,55 ₽ от 500 шт.
32,84 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 2647 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 18:55 15.02.2021
Упаковка Tape & Reel
90,50 ₽ от 1 шт.
75,27 ₽ от 10 шт.
75,27 ₽ от 50 шт.
52,75 ₽ от 100 шт.
38,85 ₽ от 1000 шт.
34,76 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 1700 шт.
MOQ 23 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
72,43 ₽ от 23 шт.
71,74 ₽ от 25 шт.
52,11 ₽ от 100 шт.
51,60 ₽ от 250 шт.
44,85 ₽ от 500 шт.
36,54 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 1700 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:18 16.02.2021
Упаковка Cut Tape
90,30 ₽ от 1 шт.
75,33 ₽ от 10 шт.
74,61 ₽ от 25 шт.
54,20 ₽ от 100 шт.
53,66 ₽ от 250 шт.
46,65 ₽ от 500 шт.
38,00 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 5000 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 18:27 16.02.2021
45,10 ₽ от 2500 шт.
42,09 ₽ от 5000 шт.
США
На складе 1234 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:16 16.02.2021
Упаковка Cut Tape
100,43 ₽ от 1 шт.
86,75 ₽ от 10 шт.
82,82 ₽ от 25 шт.
60,09 ₽ от 100 шт.
50,21 ₽ от 500 шт.
42,73 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 67 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:47 16.02.2021
102,15 ₽ от 1 шт.
90,22 ₽ от 10 шт.
61,41 ₽ от 100 шт.
52,45 ₽ от 250 шт.
51,31 ₽ от 500 шт.
США
На складе 63 шт.
Обновлено 11:25 16.02.2021
86,08 ₽ от 1 шт.
71,74 ₽ от 8 шт.
57,39 ₽ от 33 шт.
США
На складе 371 шт.
Обновлено 00:55 16.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 320 шт.
Обновлено 02:07 13.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 37500 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 18:27 16.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 1884 шт.
Обновлено 19:17 05.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 40425 шт.
Обновлено 00:37 16.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 20328 шт.
Обновлено 18:59 16.02.2021
Цена по запросу.
Европа 3
В наличии до 47500 шт.
MOQ от 10 шт.
Цена от 33,31 ₽ до 100,55 ₽
Европейский союз
На складе 47500 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 07:24 16.02.2021
40,45 ₽ от 2500 шт.
38,07 ₽ от 5000 шт.
35,69 ₽ от 10000 шт.
34,50 ₽ от 15000 шт.
33,31 ₽ от 20000 шт.
Британия
На складе 2530 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 16:01 15.02.2021
100,55 ₽ от 10 шт.
83,68 ₽ от 50 шт.
65,55 ₽ от 100 шт.
53,14 ₽ от 500 шт.
49,48 ₽ от 1000 шт.
Британия
На складе 140 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 16:01 15.02.2021
100,55 ₽ от 10 шт.
83,68 ₽ от 50 шт.
65,55 ₽ от 100 шт.
53,14 ₽ от 500 шт.
49,48 ₽ от 1000 шт.
Азия 3
В наличии до 13500 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 45,16 ₽ до 107,49 ₽
Китай
На складе 1700 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:16 02.02.2021
107,49 ₽ от 1 шт.
89,46 ₽ от 10 шт.
88,58 ₽ от 25 шт.
63,21 ₽ от 100 шт.
62,68 ₽ от 250 шт.
56,48 ₽ от 500 шт.
45,16 ₽ от 1000 шт.
Китай
На складе 3646 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:26 16.02.2021
89,38 ₽ от 1 шт.
65,33 ₽ от 10 шт.
60,74 ₽ от 30 шт.
56,39 ₽ от 100 шт.
54,32 ₽ от 500 шт.
53,40 ₽ от 1000 шт.
Китай
На складе 13500 шт.
Обновлено 13:00 10.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor FDS9934C, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
-20.0 V to 20.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-10.0 V to 10.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Текущий рейтинг:
-5.00 A
Gate Charge:
8.70 nC
Continuous Drain Current (Ids):
6.50 A
Входная емкость:
955 pF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tape
Количество выводов:
8
Полярность:
P-Channel, N-Channel
Рассеяние мощности:
2.00 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
25.0 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
9.00 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
20.0 V
  • Двойной N и P-канал 20 В, 30 мОм PowerTrench® Mosfet - SOIC-8
  • Trans MOSFET N / P-CH 20V 6.5A / 5A 8-контактный SOIC N T / R
  • МОП-транзистор, N&P CH 8SOIC
  • Полярность транзистора: канал N и P
  • Id постоянного тока утечки: 6.5A
  • Напряжение источника стока Vds: 20 В
  • На сопротивлении Rds (вкл.): 30 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V
  • Пороговое напряжение Vgs Тип: 1 В
  • Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C
  • Тип корпуса транзистора: SOIC
  • Количество контактов: 8
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
  • Current Id Max:6.5A
  • Упаковка / ящик: SOIC
  • Рассеиваемая мощность Pd: 2 Вт
  • Тип завершения: SMD
  • Напряжение Vds Typ: 20 В
  • Voltage Vgs Max:1V
  • Напряжение Vgs Rds при измерении: 4,5 В
  • These dual N- and P-channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize on-state ressitance and yet maintain superior switching performance.These devices are well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.

Документы по ON Semiconductor FDS9934C, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(8 страниц, 16.03.2006)
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Заявление о достижении
(3 страницы, 31.08.2013)
Лист материалов
(3 страницы, 31.08.2013)