ON Semiconductor
FFB3904
Dual NPN 40 V, 200 mA General Purpose Bipolar Junction Transistor
Цена от 5,38 ₽ до 92,72 ₽
Наличие ON Semiconductor FFB3904 на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 228000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 7,07 ₽ до 92,72 ₽
На складе 2550 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 04:02 28.12.2020
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 228000 шт.
Обновлено 09:49 26.12.2020
На складе 2722 шт.
MOQ 3435 шт.
Обновлено 14:22 18.12.2020
Упаковка Bulk На складе 7339 шт.
MOQ 820 шт.
Обновлено 17:47 27.12.2020
На складе 3000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 17:47 27.12.2020
На складе 3000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 17:31 27.12.2020
На складе 2280 шт.
Обновлено 11:28 25.12.2020
На складе 713 шт.
Обновлено 17:02 05.12.2020
Цена по запросу.
На складе 16398 шт.
Обновлено 02:35 28.12.2020
Цена по запросу.
На складе 2195 шт.
Обновлено 19:52 22.12.2020
Цена по запросу.
На складе 182952 шт.
Обновлено 18:54 23.12.2020
Цена по запросу.
В наличии до 8556 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена от 5,38 ₽ до 7,69 ₽
На складе 8556 шт.
MOQ 835 шт.
Обновлено 03:40 28.12.2020
На складе 3000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 15:44 27.12.2020
Технические характеристики ON Semiconductor FFB3904, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
40.0 V
Текущий рейтинг:
200 mA
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Tape
Количество выводов:
6
Полярность:
NPN, N-Channel
Рассеяние мощности:
300 mW
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
40.0 V
- Dual NPN 40 V, 200 mA General Purpose Bipolar Junction Transistor
- Trans General Purpose BJT NPN 40 Volt 0.2A 6-Pin SC-70 Tape and Reel
- Bipolar Transistors - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose
- FEB3904 Series 40 V 0.2 A 300 mW NPN General Purpose Amplifier - SC-70-6
- Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 6-Pin SC-70 T/R
- This device is designed as a general purpose amplifier and switch. The useful dynamic range extends to 100 mA as a switch and to 100 MHz as an amplifier. Sourced from Process 23.
- Биполярный транзистор
- Полярность транзистора: Dual NPN
- Power Dissipation, Pd:0.3W
- DC Current Gain Min (hfe):100
- Package/Case:SuperSOT-6
- C-E Breakdown Voltage:40V
- DC Collector Current:200A
- Leaded Process Compatible:Yes
- Соответствует RoHS: Да
Документы по ON Semiconductor FFB3904, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на ON Semiconductor FFB3904, сравнение характеристик.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 40.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 200 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Tube, Tape.
Количество выводов 16.
Полярность NPN, N-Channel.
Рассеяние мощности 300 mW.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 40.0 V.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 40.0 V.
Текущий рейтинг 500 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Tape.
Количество выводов 6.
Полярность NPN, N-Channel.
Рассеяние мощности 300 mW.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 40.0 V.