Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
FQA140N10

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 100V, 140A, 10mΩ, TO-3P

Цена от 245,11 ₽ до 659,97 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor FQA140N10 на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 10
В наличии до 10900 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 245,11 ₽ до 612,21 ₽
США
На складе 295 шт.
MOQ 4 шт.
Обновлено 17:42 04.03.2021
356,94 ₽ от 4 шт.
327,43 ₽ от 10 шт.
273,73 ₽ от 100 шт.
270,96 ₽ от 250 шт.
255,93 ₽ от 500 шт.
245,11 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 295 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 04.03.2021
371,22 ₽ от 1 шт.
340,53 ₽ от 10 шт.
284,68 ₽ от 100 шт.
281,80 ₽ от 250 шт.
266,17 ₽ от 500 шт.
254,91 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 10900 шт.
MOQ 123 шт.
Обновлено 03:20 04.03.2021
333,71 ₽ от 123 шт.
329,01 ₽ от 130 шт.
319,61 ₽ от 250 шт.
312,55 ₽ от 620 шт.
300,80 ₽ от 1300 шт.
293,75 ₽ от 6200 шт.
286,71 ₽ от 13000 шт.
США
На складе 10900 шт.
Обновлено 10:05 04.03.2021
316,35 ₽ от 1 шт.
310,03 ₽ от 25 шт.
303,70 ₽ от 100 шт.
297,38 ₽ от 500 шт.
291,04 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 20 шт.
Обновлено 17:16 03.03.2021
596,47 ₽ от 1 шт.
397,65 ₽ от 3 шт.
298,24 ₽ от 8 шт.
США
На складе 999 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:08 04.03.2021
Упаковка Tube
612,21 ₽ от 1 шт.
514,08 ₽ от 10 шт.
485,22 ₽ от 25 шт.
415,88 ₽ от 100 шт.
369,67 ₽ от 500 шт.
316,53 ₽ от 1000 шт.
304,56 ₽ от 2500 шт.
США
На складе 10338 шт.
Обновлено 17:25 01.03.2021
Цена по запросу.
США
На складе 299 шт.
Обновлено 16:40 28.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 231 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 10125 шт.
Обновлено 19:22 22.02.2021
Цена по запросу.
Европа 3
В наличии до 234 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 411,35 ₽ до 659,97 ₽
Британия
На складе 234 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:28 03.03.2021
559,43 ₽ от 25 шт.
486,27 ₽ от 100 шт.
460,82 ₽ от 250 шт.
411,35 ₽ от 500 шт.
Британия
На складе 10 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:28 03.03.2021
659,97 ₽ от 1 шт.
559,43 ₽ от 25 шт.
486,27 ₽ от 100 шт.
460,82 ₽ от 250 шт.
411,35 ₽ от 500 шт.
Германия
На складе 67 шт.
Обновлено 10:59 24.02.2021
Цена по запросу.
Азия 3
В наличии до 12388 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 308,30 ₽ до 603,28 ₽
Китай
На складе 12388 шт.
MOQ 14 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
456,74 ₽ от 14 шт.
376,80 ₽ от 35 шт.
365,36 ₽ от 55 шт.
354,05 ₽ от 75 шт.
342,62 ₽ от 95 шт.
308,30 ₽ от 125 шт.
Китай
На складе 3 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:27 02.03.2021
603,28 ₽ от 1 шт.
532,40 ₽ от 10 шт.
519,42 ₽ от 30 шт.
506,21 ₽ от 100 шт.
500,41 ₽ от 500 шт.
493,46 ₽ от 1000 шт.
Малайзия
На складе 238 шт.
Обновлено 17:16 27.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor FQA140N10, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
100 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-25.0 V to 25.0 V
Текущий рейтинг:
140 A
Continuous Drain Current (Ids):
140 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
175 °C (max)
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
375 W (max)
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
10.0 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
100 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
100 V
  • N-Channel Power MOSFET, QFET®, 100V, 140A, 10mΩ, TO-3P
  • Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N) T/R
  • N-Channel 100 V 0.01 Ohm Through Hole Mosfet - TO-3PN
  • Qf 100V 10Mohm To3Pn Rohs Compliant: Yes
  • СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР ПОЛЕВОГО ЭФФЕКТА, 1
  • Этот силовой МОП-транзистор с N-канальным улучшенным режимом производится с использованием запатентованной планарной полосы Fairchild Semiconductor и технологии DMOS. Эта передовая технология MOSFET была специально разработана для снижения сопротивления в открытом состоянии, а также для обеспечения превосходных характеристик переключения и высокой устойчивости к лавинной энергии. Эти устройства подходят для импульсных источников питания, аудиоусилителей, управления двигателями постоянного тока и приложений с регулируемой импульсной мощностью.

Документы по ON Semiconductor FQA140N10, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Заявление о достижении
(3 страницы, 31.08.2013)
Лист материалов
(3 страницы, 31.08.2013)