Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
FQB10N20LTM

Mosfet N-ch 200V 10A D2PAK

Цена от 63,40 ₽ до 68,92 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor FQB10N20LTM на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 2
В наличии до 457 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена от 63,40 ₽ до 68,92 ₽
США
На складе 457 шт.
Обновлено 10:12 10.02.2021
68,92 ₽ от 1 шт.
67,53 ₽ от 25 шт.
66,16 ₽ от 100 шт.
64,78 ₽ от 500 шт.
63,40 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 457 шт.
MOQ 563 шт.
Обновлено 01:59 10.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor FQB10N20LTM, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
200 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-263
Текущий рейтинг:
10.0 A
Continuous Drain Current (Ids):
10.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Not Listed by Manufacturer
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Tape
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
3.13 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
360 mΩ
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
20.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
200 V
  • MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK
  • МОП-транзисторы 200V N-Ch QFET Logic Level
  • N-КАНАЛЬНЫЙ МОП-МОП-транзистор

Документы по ON Semiconductor FQB10N20LTM, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(9 страниц, 09.01.2001)
Заявление о достижении
(2 страницы, 20.12.2012)
Заявление Rohs
(1 страница, 26.04.2012)