Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
FQP6N80C

Power Mosfet, N-channel, Qfet®, 800 V, 5.5 A, 2.5 Ω, TO-220

Цена от 73,88 ₽ до 1 144,85 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor FQP6N80C на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 11
В наличии до 56918 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 81,63 ₽ до 212,32 ₽
США
На складе 390 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:44 12.02.2021
Упаковка Tube
198,02 ₽ от 1 шт.
165,02 ₽ от 10 шт.
165,02 ₽ от 50 шт.
135,31 ₽ от 100 шт.
93,51 ₽ от 1000 шт.
81,63 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 219 шт.
MOQ 8 шт.
Обновлено 17:49 14.02.2021
183,64 ₽ от 8 шт.
154,96 ₽ от 10 шт.
128,39 ₽ от 100 шт.
126,26 ₽ от 250 шт.
100,86 ₽ от 500 шт.
90,51 ₽ от 1000 шт.
87,32 ₽ от 2000 шт.
83,77 ₽ от 5000 шт.
США
На складе 219 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:45 14.02.2021
190,99 ₽ от 1 шт.
161,16 ₽ от 10 шт.
133,53 ₽ от 100 шт.
131,31 ₽ от 250 шт.
104,89 ₽ от 500 шт.
94,13 ₽ от 1000 шт.
90,81 ₽ от 2000 шт.
87,12 ₽ от 5000 шт.
США
На складе 34000 шт.
Обновлено 10:07 14.02.2021
95,99 ₽ от 1 шт.
94,07 ₽ от 25 шт.
92,15 ₽ от 100 шт.
90,22 ₽ от 500 шт.
88,31 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 22400 шт.
MOQ 250 шт.
Обновлено 18:40 12.02.2021
98,33 ₽ от 250 шт.
91,49 ₽ от 22400 шт.
США
На складе 2866 шт.
MOQ 18 шт.
Обновлено 17:49 14.02.2021
92,08 ₽ от 18 шт.
США
На складе 110 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:08 14.02.2021
Упаковка Tube
212,32 ₽ от 1 шт.
176,02 ₽ от 10 шт.
170,25 ₽ от 25 шт.
140,08 ₽ от 100 шт.
118,52 ₽ от 500 шт.
100,57 ₽ от 1000 шт.
95,54 ₽ от 2500 шт.
94,69 ₽ от 5000 шт.
США
На складе 42 шт.
Обновлено 11:12 13.02.2021
143,59 ₽ от 1 шт.
132,10 ₽ от 5 шт.
114,87 ₽ от 23 шт.
США
На складе 135 шт.
Обновлено 03:32 08.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 24794 шт.
Обновлено 18:41 12.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 56918 шт.
Обновлено 18:56 12.02.2021
Цена по запросу.
Европа 4
В наличии до 28000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 96,50 ₽ до 1 144,85 ₽
Польша
На складе 1 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
146,46 ₽ от 1 шт.
130,56 ₽ от 5 шт.
115,80 ₽ от 25 шт.
105,58 ₽ от 100 шт.
96,50 ₽ от 500 шт.
Британия
На складе 30 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 16:29 14.02.2021
194,25 ₽ от 5 шт.
Британия
На складе 562 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:23 12.02.2021
1 144,85 ₽ от 1 шт.
860,37 ₽ от 10 шт.
648,05 ₽ от 100 шт.
563,40 ₽ от 500 шт.
521,77 ₽ от 1000 шт.
480,14 ₽ от 5000 шт.
Европейский союз
На складе 28000 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 08:00 14.02.2021
Цена по запросу.
Азия 5
В наличии до 44000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 73,88 ₽ до 259,16 ₽
Китай
На складе 7250 шт.
MOQ 60 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
109,43 ₽ от 60 шт.
90,33 ₽ от 145 шт.
87,55 ₽ от 220 шт.
84,76 ₽ от 300 шт.
82,11 ₽ от 390 шт.
73,88 ₽ от 515 шт.
Китай
На складе 219 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:16 02.02.2021
211,69 ₽ от 1 шт.
180,95 ₽ от 10 шт.
142,92 ₽ от 100 шт.
138,33 ₽ от 250 шт.
120,80 ₽ от 500 шт.
104,77 ₽ от 1000 шт.
101,54 ₽ от 2000 шт.
96,49 ₽ от 5000 шт.
96,11 ₽ от 10000 шт.
Сингапур
На складе 492 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:49 13.02.2021
259,16 ₽ от 1 шт.
218,04 ₽ от 10 шт.
170,22 ₽ от 100 шт.
166,40 ₽ от 250 шт.
143,44 ₽ от 500 шт.
122,41 ₽ от 1000 шт.
119,54 ₽ от 2000 шт.
114,76 ₽ от 5000 шт.
Китай
На складе 69 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:37 13.02.2021
234,95 ₽ от 1 шт.
177,70 ₽ от 10 шт.
167,17 ₽ от 30 шт.
156,63 ₽ от 100 шт.
151,82 ₽ от 500 шт.
149,54 ₽ от 1000 шт.
Израиль
На складе 44000 шт.
Обновлено 15:57 26.01.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor FQP6N80C, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
800 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-30.0 V to 30.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-220
Текущий рейтинг:
5.50 A
Continuous Drain Current (Ids):
5.50 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
158 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
2.50 Ω
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
800 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
800 V
  • Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 800 V, 5.5 A, 2.5 Ω, TO-220
  • Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
  • N-Channel 800 V 2.5 Ohm Through Hole Mosfet - TO-220
  • Этот силовой МОП-транзистор с N-канальным улучшенным режимом производится с использованием запатентованной планарной полосы Fairchild Semiconductor и технологии DMOS. Эта передовая технология MOSFET была специально разработана для уменьшения сопротивления в открытом состоянии и обеспечения превосходных характеристик переключения и высокой устойчивости к лавинной энергии. Эти устройства подходят для импульсных источников питания, активной коррекции коэффициента мощности (PFC) и электронных балластов ламп.
  • МОП-транзистор, N, TO-220
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность транзистора: N
  • Напряжение, Vds тип .: 800V
  • Current, Id Cont:5.5A
  • Resistance, Rds On:2.1ohm
  • Напряжение, ВГС при измерении: 10В
  • Напряжение, Vgs th Тип: 5В
  • Тип корпуса: TO-220
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C
  • Current, Idm Pulse:22A
  • Внешняя длина / высота: 4,83 мм
  • Количество контактов: 3
  • Power Dissipation:158W
  • Power, Pd:158W
  • Resistance, Rds on Max:2.5ohm
  • Температура, ток: 25 ° C
  • Температура при полной мощности: 25 ° C
  • Транзисторы, Кол-во: 1
  • Напряжение, Vds Max: 800 В
  • Voltage, Vgs th Max:5V
  • Width, External:10.67mm

Документы по ON Semiconductor FQP6N80C, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Заявление о достижении
(3 страницы, 31.08.2013)
Лист материалов
(3 страницы, 31.08.2013)