Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
FQPF19N20

Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 200 V, 11.8 A, 150 mΩ, TO-220F

Цена от 66,76 ₽ до 176,62 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor FQPF19N20 на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 8
В наличии до 12000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 66,76 ₽ до 176,62 ₽
США
На складе 675 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:38 22.02.2021
Упаковка Tube
176,62 ₽ от 1 шт.
149,96 ₽ от 10 шт.
149,96 ₽ от 50 шт.
114,41 ₽ от 100 шт.
78,09 ₽ от 1000 шт.
66,76 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 1000 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
74,00 ₽ от 76 шт.
72,96 ₽ от 490 шт.
70,88 ₽ от 970 шт.
69,78 ₽ от 2400 шт.
США
На складе 4000 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 02:48 20.02.2021
81,45 ₽ от 1000 шт.
80,30 ₽ от 2000 шт.
78,00 ₽ от 4000 шт.
76,28 ₽ от 6000 шт.
73,42 ₽ от 8000 шт.
71,70 ₽ от 10000 шт.
69,98 ₽ от 100000 шт.
США
На складе 1000 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 15:26 23.02.2021
82,96 ₽ от 1000 шт.
78,52 ₽ от 2000 шт.
74,78 ₽ от 5000 шт.
73,06 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 12000 шт.
Обновлено 10:06 23.02.2021
81,07 ₽ от 1 шт.
79,44 ₽ от 25 шт.
77,83 ₽ от 100 шт.
76,20 ₽ от 500 шт.
74,58 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 4000 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
77,76 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 153 шт.
Обновлено 02:07 13.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 963 шт.
Обновлено 17:57 22.02.2021
Цена по запросу.
Азия 1
В наличии до 950 шт.
MOQ от 100 шт.
Китай
На складе 950 шт.
Обновлено 21:33 21.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor FQPF19N20, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
200 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-30.0 V to 30.0 V
Текущий рейтинг:
19.4 A
Continuous Drain Current (Ids):
11.8 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tube, Rail
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
50.0 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
150 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
200 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
200 V
  • Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 200 V, 11.8 A, 150 mΩ, TO-220F
  • Trans MOSFET N-CH 200V 11.8A 3-Pin (3+Tab) TO-220F Rail
  • МОП-транзистор, N, TO-220F
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current Id:11.8A
  • Напряжение источника стока Vds: 200 В
  • На сопротивлении Rds (вкл.): 150 МОм
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
  • Пороговое напряжение Vgs Typ: 5 В
  • Power Dissipation Pd:50W
  • Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C
  • Тип корпуса транзистора: TO-220F
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
  • Current Id Max:11.8A
  • Упаковка / ящик: TO-220F
  • Power Dissipation Pd:50W
  • Power Dissipation Pd:50W
  • Pulse Current Idm:48A
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Напряжение Vds Typ: 200 В
  • Максимальное напряжение Vgs: 30 В
  • Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В
  • This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

Документы по ON Semiconductor FQPF19N20, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Заявление о достижении
(3 страницы, 31.08.2013)
Лист материалов
(3 страницы, 31.08.2013)