Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
FQPF32N20C

Transistor, mosfet, n-Channel, 200V V(Br)Dss, 28A I(D), to-220Ab(Fp) Rohs Compliant: Yes

Цена от 40,11 ₽ до 269,92 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor FQPF32N20C на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 6
В наличии до 5000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 91,79 ₽ до 269,92 ₽
США
На складе 5000 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 02:48 20.02.2021
106,84 ₽ от 1000 шт.
105,34 ₽ от 2000 шт.
102,33 ₽ от 4000 шт.
100,07 ₽ от 6000 шт.
96,31 ₽ от 8000 шт.
94,05 ₽ от 10000 шт.
91,79 ₽ от 100000 шт.
США
На складе 4810 шт.
Обновлено 10:06 23.02.2021
106,34 ₽ от 1 шт.
104,21 ₽ от 25 шт.
102,09 ₽ от 100 шт.
99,96 ₽ от 500 шт.
97,84 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 376 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:38 22.02.2021
Упаковка Tube
227,71 ₽ от 1 шт.
193,28 ₽ от 10 шт.
193,28 ₽ от 50 шт.
152,18 ₽ от 100 шт.
115,52 ₽ от 1000 шт.
106,41 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 982 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Tube
269,92 ₽ от 1 шт.
224,16 ₽ от 10 шт.
216,87 ₽ от 25 шт.
178,44 ₽ от 100 шт.
150,98 ₽ от 500 шт.
128,11 ₽ от 1000 шт.
121,70 ₽ от 2500 шт.
120,62 ₽ от 5000 шт.
США
На складе 5000 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
191,06 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 280 шт.
Обновлено 02:07 13.02.2021
Цена по запросу.
Азия 1
В наличии до 3400 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена от 40,11 ₽ до 59,40 ₽
Китай
На складе 3400 шт.
MOQ 110 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
59,40 ₽ от 110 шт.
49,05 ₽ от 265 шт.
47,52 ₽ от 405 шт.
46,11 ₽ от 555 шт.
44,58 ₽ от 720 шт.
40,11 ₽ от 960 шт.
Европа 1
В наличии до 300 шт.
MOQ от 100 шт.
Германия
На складе 300 шт.
Обновлено 15:03 22.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor FQPF32N20C, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
200 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-30.0 V to 30.0 V
Текущий рейтинг:
28.0 A
Continuous Drain Current (Ids):
28.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Упаковка:
Tube
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
50.0 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
82.0 mΩ
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
200 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
200 V
  • Transistor,mosfet,n-Channel,200V V(Br)Dss,28A I(D),to-220Ab(Fp) Rohs Compliant: Yes
  • Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 200 V, 28 A, 82 mΩ, TO-220F
  • Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
  • Этот силовой МОП-транзистор с N-канальным улучшенным режимом производится с использованием запатентованной планарной полосы Fairchild Semiconductor и технологии DMOS. Эта передовая технология MOSFET была специально разработана для уменьшения сопротивления в открытом состоянии и обеспечения превосходных характеристик переключения и высокой устойчивости к лавинной энергии. Эти устройства подходят для импульсных источников питания, активной коррекции коэффициента мощности (PFC) и электронных балластов ламп.

Документы по ON Semiconductor FQPF32N20C, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Заявление о достижении
(3 страницы, 31.08.2013)
Лист материалов
(3 страницы, 31.08.2013)