ON Semiconductor
FQT13N06TF
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 60 V, 2.8 A, 140 mΩ, SOT-223
Цена от 12,39 ₽ до 391,80 ₽
Наличие ON Semiconductor FQT13N06TF на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 5120 шт.
MOQ от 5 шт.
Цена от 21,47 ₽ до 391,80 ₽
На складе 4000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 07:36 27.02.2021
На складе 5120 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 14:03 27.02.2021
На складе 5120 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 14:03 27.02.2021
На складе 3161 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 15:20 26.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) В наличии до 24000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 17,75 ₽ до 69,57 ₽
На складе 24000 шт.
Обновлено 11:48 04.02.2021
На складе 12000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 02:49 27.02.2021
На складе 7546 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:56 26.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 8000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 17:50 27.02.2021
На складе 4000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 14:19 27.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 5453 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:12 26.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 5453 шт.
MOQ 34 шт.
Обновлено 17:50 27.02.2021
На складе 6329 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:19 27.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 4000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 18:03 25.02.2021
На складе 2711 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:04 27.02.2021
Упаковка Cut Tape (5 шт.) На складе 6160 шт.
Обновлено 22:47 24.02.2021
Цена по запросу.
На складе 8131 шт.
Обновлено 19:05 25.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 5453 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 12,39 ₽ до 67,98 ₽
На складе 4429 шт.
MOQ 355 шт.
Обновлено 12:30 26.02.2021
На складе 3161 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 14:47 26.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 5453 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:45 27.02.2021
Технические характеристики ON Semiconductor FQT13N06TF, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
60.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-25.0 V to 25.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-236, SOT-23-3, SC-59
Текущий рейтинг:
2.80 A
Continuous Drain Current (Ids):
2.80 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
2.10 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
140 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
60.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
60.0 V
- Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 60 V, 2.8 A, 140 mΩ, SOT-223
- N-Channel 60 V 0.14 Ohm Surface Mount Mosfet - SOT-223
- Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin (3+Tab) SOT-223 T/R
- Этот силовой МОП-транзистор с N-канальным улучшенным режимом производится с использованием запатентованной планарной полосы Fairchild Semiconductor и технологии DMOS. Эта передовая технология MOSFET была специально разработана для снижения сопротивления в открытом состоянии, а также для обеспечения превосходных характеристик переключения и высокой устойчивости к лавинной энергии. Эти устройства подходят для импульсных источников питания, аудиоусилителей, управления двигателями постоянного тока и приложений с регулируемой импульсной мощностью.
Документы по ON Semiconductor FQT13N06TF, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на ON Semiconductor FQT13N06TF, сравнение характеристик.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 60.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-223.
Текущий рейтинг 2.80 A.
Continuous Drain Current (Ids) 2.80 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Reel.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.10 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 110 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 60.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 60.0 V.