Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
FQT7N10TF

Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 100 V, 1.7 A, 350 mΩ, SOT-223

Цена от 14,52 ₽ до 378,42 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor FQT7N10TF на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 2
В наличии до 3137 шт.
MOQ от 5 шт.
Цена от 51,43 ₽ до 378,42 ₽
Британия
На складе 1840 шт.
MOQ 20 шт.
Обновлено 01:31 09.02.2021
70,50 ₽ от 20 шт.
64,91 ₽ от 100 шт.
60,87 ₽ от 200 шт.
56,24 ₽ от 500 шт.
51,43 ₽ от 1000 шт.
Британия
На складе 3137 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 15:24 09.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
378,42 ₽ от 5 шт.
265,31 ₽ от 10 шт.
187,12 ₽ от 100 шт.
124,28 ₽ от 500 шт.
104,73 ₽ от 4000 шт.
103,33 ₽ от 12000 шт.
103,33 ₽ от 32000 шт.
101,94 ₽ от 60000 шт.
Америка 11
В наличии до 16262 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 17,04 ₽ до 64,22 ₽
США
На складе 16000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 17:46 09.02.2021
17,04 ₽ от 4000 шт.
США
На складе 16000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 16:10 09.02.2021
19,29 ₽ от 4000 шт.
18,84 ₽ от 8000 шт.
18,14 ₽ от 24000 шт.
17,71 ₽ от 48000 шт.
США
На складе 4440 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:29 08.02.2021
Упаковка Tape & Reel
59,79 ₽ от 1 шт.
48,61 ₽ от 10 шт.
48,61 ₽ от 50 шт.
34,32 ₽ от 100 шт.
22,92 ₽ от 1000 шт.
17,94 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 4000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 01:59 10.02.2021
19,62 ₽ от 4000 шт.
19,48 ₽ от 8000 шт.
19,33 ₽ от 16000 шт.
19,19 ₽ от 24000 шт.
19,05 ₽ от 32000 шт.
18,90 ₽ от 40000 шт.
18,76 ₽ от 400000 шт.
США
На складе 8000 шт.
Обновлено 10:12 10.02.2021
20,39 ₽ от 1 шт.
19,99 ₽ от 25 шт.
19,57 ₽ от 100 шт.
19,17 ₽ от 500 шт.
18,76 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 4000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 03:54 10.02.2021
19,69 ₽ от 4000 шт.
США
На складе 1610 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:40 09.02.2021
Упаковка Cut Tape
64,22 ₽ от 1 шт.
55,03 ₽ от 10 шт.
51,46 ₽ от 25 шт.
38,23 ₽ от 100 шт.
29,85 ₽ от 500 шт.
24,26 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 3137 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 03:54 10.02.2021
Упаковка Cut Tape (5 шт.)
61,03 ₽ от 5 шт.
49,17 ₽ от 10 шт.
34,66 ₽ от 100 шт.
США
На складе 393 шт.
Обновлено 03:32 08.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 9240 шт.
Обновлено 15:54 09.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 16262 шт.
Обновлено 18:59 05.02.2021
Цена по запросу.
Азия 3
В наличии до 28520 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 14,52 ₽ до 76,05 ₽
Китай
На складе 28520 шт.
MOQ 300 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
21,39 ₽ от 300 шт.
17,70 ₽ от 720 шт.
17,19 ₽ от 1115 шт.
16,55 ₽ от 1540 шт.
16,04 ₽ от 1985 шт.
14,52 ₽ от 2635 шт.
Сингапур
На складе 3137 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:10 10.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
76,05 ₽ от 1 шт.
61,26 ₽ от 10 шт.
43,12 ₽ от 100 шт.
35,53 ₽ от 500 шт.
28,81 ₽ от 1000 шт.
26,31 ₽ от 4000 шт.
23,81 ₽ от 8000 шт.
23,14 ₽ от 24000 шт.
Израиль
На складе 20000 шт.
Обновлено 15:57 26.01.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor FQT7N10TF, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
100 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-25.0 V to 25.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOT-223
Текущий рейтинг:
-1.00 A
Gate Charge:
7.50 nC
Continuous Drain Current (Ids):
1.70 A
Входная емкость:
250 pF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
2.00 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
350 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
100 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
-100 V
  • Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 100 V, 1.7 A, 350 mΩ, SOT-223
  • N-Channel 100 V 0.35 Ohm Surface Mount Mosfet - SOT-223
  • Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
  • Этот силовой МОП-транзистор с N-канальным улучшенным режимом производится с использованием запатентованной планарной полосы Fairchild Semiconductor и технологии DMOS. Эта передовая технология MOSFET была специально разработана для снижения сопротивления в открытом состоянии, а также для обеспечения превосходных характеристик переключения и высокой устойчивости к лавинной энергии. Эти устройства подходят для импульсных источников питания, аудиоусилителей, управления двигателями постоянного тока и приложений с регулируемой импульсной мощностью.

Документы по ON Semiconductor FQT7N10TF, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Заявление о достижении
(3 страницы, 31.08.2013)
Лист материалов
(3 страницы, 31.08.2013)