Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

ON Semiconductor
HGTG12N60A4D

Trans IGBT Chip N=-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail

Цена от 130,75 ₽ до 2 174,25 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor HGTG12N60A4D на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
TME
На складе 1 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
248,29 ₽ от 1 шт.
223,23 ₽ от 3 шт.
207,29 ₽ от 10 шт.
189,07 ₽ от 30 шт.
160,59 ₽ от 150 шт.
Farnell
На складе 21928 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:37 16.02.2021
2 174,25 ₽ от 1 шт.
1 665,53 ₽ от 10 шт.
1 338,00 ₽ от 100 шт.
1 282,25 ₽ от 250 шт.
1 177,72 ₽ от 500 шт.
717,78 ₽ от 1000 шт.
Avnet Europe
На складе 924 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 07:24 16.02.2021
Цена по запросу.
Verical
На складе 774 шт.
MOQ 9 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
247,52 ₽ от 23 шт.
182,11 ₽ от 100 шт.
154,09 ₽ от 500 шт.
130,75 ₽ от 1000 шт.
Newark
На складе 19735 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 04:01 16.02.2021
317,94 ₽ от 1 шт.
263,99 ₽ от 10 шт.
210,04 ₽ от 100 шт.
177,91 ₽ от 500 шт.
151,51 ₽ от 1000 шт.
145,77 ₽ от 2500 шт.
Avnet
На складе 159 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:47 16.02.2021
350,07 ₽ от 1 шт.
290,39 ₽ от 10 шт.
281,21 ₽ от 25 шт.
255,96 ₽ от 50 шт.
230,70 ₽ от 100 шт.
164,13 ₽ от 2500 шт.
Digi-Key
На складе 487 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:16 16.02.2021
Упаковка Tube
332,19 ₽ от 1 шт.
279,33 ₽ от 10 шт.
263,68 ₽ от 25 шт.
226,01 ₽ от 100 шт.
200,90 ₽ от 500 шт.
172,02 ₽ от 1000 шт.
165,83 ₽ от 2500 шт.
Rochester Electronics
На складе 8550 шт.
Обновлено 09:55 16.02.2021
208,92 ₽ от 1 шт.
204,74 ₽ от 25 шт.
200,56 ₽ от 100 шт.
196,39 ₽ от 500 шт.
192,21 ₽ от 1000 шт.
NAC Semi
На складе 192 шт.
MOQ 123 шт.
Обновлено 18:27 16.02.2021
210,04 ₽ от 123 шт.
195,12 ₽ от 360 шт.
Verical
На складе 27 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
322,04 ₽ от 5 шт.
273,37 ₽ от 10 шт.
272,71 ₽ от 25 шт.
260,02 ₽ от 50 шт.
217,31 ₽ от 100 шт.
Verical
На складе 24 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
334,62 ₽ от 5 шт.
280,99 ₽ от 10 шт.
280,21 ₽ от 25 шт.
266,53 ₽ от 50 шт.
220,73 ₽ от 100 шт.
Arrow Electronics
На складе 27 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:18 16.02.2021
334,92 ₽ от 1 шт.
284,31 ₽ от 10 шт.
283,62 ₽ от 25 шт.
270,42 ₽ от 50 шт.
226,00 ₽ от 100 шт.
Arrow Electronics
На складе 24 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:18 16.02.2021
348,01 ₽ от 1 шт.
292,23 ₽ от 10 шт.
291,42 ₽ от 25 шт.
277,19 ₽ от 50 шт.
229,56 ₽ от 100 шт.
Quest
На складе 19 шт.
Обновлено 11:25 16.02.2021
459,11 ₽ от 1 шт.
344,33 ₽ от 2 шт.
286,95 ₽ от 9 шт.
One Stop Electro
На складе 193 шт.
Обновлено 00:55 16.02.2021
Цена по запросу.
Semi Source
На складе 420 шт.
Обновлено 19:17 05.02.2021
Цена по запросу.
Classic Components
На складе 231 шт.
Обновлено 00:37 16.02.2021
Цена по запросу.
Abacus Technologies
На складе 1878 шт.
Обновлено 18:59 16.02.2021
Цена по запросу.
element14 APAC
На складе 19789 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:50 16.02.2021
274,01 ₽ от 1 шт.
247,18 ₽ от 10 шт.
199,28 ₽ от 100 шт.
163,83 ₽ от 500 шт.
Arrow.cn
На складе 47 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:16 02.02.2021
362,12 ₽ от 1 шт.
303,88 ₽ от 10 шт.
300,84 ₽ от 25 шт.
293,50 ₽ от 50 шт.
239,56 ₽ от 100 шт.
Ampacity Systems
На складе 117 шт.
Обновлено 00:56 16.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor HGTG12N60A4D, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-247
Текущий рейтинг:
54.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Obsolete
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
167 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
8.00 ns
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
600 V
  • Trans IGBT Chip N=-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
  • 600V SMPS Series N-Channel IGBT Transistor with Anti-Parallel Hyperfast Diode
  • HGTG12N60A4D Series 600 V 54 A Flange Mount SMPS N-Channel IGBT-TO-247
  • The HGTG12N60A4D combines the best features of high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. This IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for fast switching applications, such as UPS and welder.
  • IGBT, TO-247
  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current:54A
  • Collector Emitter Voltage Vces:2.7V
  • Power Dissipation Pd:167W
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V
  • Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C
  • Transistor Case Style:TO-247
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
  • Alternate Case Style:SOT-249
  • Current Ic Continuous a Max:54A
  • Текущая температура: 25 ° C
  • Device Marking:HGTG12N60A4D
  • Fall Time tf:95ns
  • Температура при полной мощности: 25 ° C
  • Количество транзисторов: 1
  • Package / Case:TO-247
  • Power Dissipation Max:167W
  • Power Dissipation Pd:167W
  • Power Dissipation Pd:167W
  • Pulsed Current Icm:96A
  • Rise Time:16ns
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:600V

Документы по ON Semiconductor HGTG12N60A4D, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(8 страниц, 15.01.2002)
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Лист материалов
(3 страницы, 07.12.2013)
Заявление о достижении
(3 страницы, 09.08.2014)

Товары похожие на ON Semiconductor HGTG12N60A4D, сравнение характеристик.

ON Semiconductor HGTP12N60A4D
Цена от 124,89 ₽ до 2 048,82 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 54.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 167 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 8.00 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
Intersil HGTP12N60A4D
Цена от до
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 54.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 167 W.
Время нарастания 8.00 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
Intersil HGTG12N60A4
Цена от до
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 54.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Pending Obsolescence.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 167 W.
Время нарастания 8.00 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.