Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

ON Semiconductor
HGTG18N120BND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail

Цена от 240,35 ₽ до 2 821,61 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor HGTG18N120BND на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
RS Components
На складе 84 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:28 05.03.2021
639,74 ₽ от 1 шт.
568,78 ₽ от 15 шт.
RS Components
На складе 121 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:28 05.03.2021
568,78 ₽ от 15 шт.
Farnell
На складе 1884 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:01 06.03.2021
2 821,61 ₽ от 1 шт.
2 142,20 ₽ от 10 шт.
1 622,25 ₽ от 100 шт.
1 518,26 ₽ от 500 шт.
1 365,74 ₽ от 1000 шт.
Avnet Europe
На складе 125 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 07:22 05.03.2021
Цена по запросу.
Verical
На складе 1125 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
408,57 ₽ от 5 шт.
309,02 ₽ от 100 шт.
274,69 ₽ от 500 шт.
240,35 ₽ от 1000 шт.
Digi-Key
На складе 448 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:47 05.03.2021
Упаковка Tube
549,46 ₽ от 1 шт.
461,01 ₽ от 10 шт.
435,10 ₽ от 25 шт.
372,96 ₽ от 100 шт.
331,52 ₽ от 500 шт.
283,86 ₽ от 1000 шт.
273,66 ₽ от 2500 шт.
Verical
На складе 85 шт.
MOQ 4 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
501,32 ₽ от 4 шт.
399,70 ₽ от 10 шт.
397,68 ₽ от 25 шт.
387,97 ₽ от 32 шт.
384,73 ₽ от 40 шт.
380,71 ₽ от 50 шт.
376,91 ₽ от 62 шт.
344,41 ₽ от 70 шт.
293,27 ₽ от 100 шт.
276,51 ₽ от 150 шт.
Mouser
На складе 496 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:48 05.03.2021
Упаковка Tube
505,90 ₽ от 1 шт.
400,92 ₽ от 10 шт.
400,92 ₽ от 50 шт.
343,97 ₽ от 100 шт.
280,31 ₽ от 1000 шт.
280,31 ₽ от 10000 шт.
Arrow Electronics
На складе 85 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:20 05.03.2021
521,37 ₽ от 1 шт.
415,68 ₽ от 10 шт.
413,59 ₽ от 25 шт.
403,49 ₽ от 32 шт.
400,12 ₽ от 40 шт.
395,94 ₽ от 50 шт.
391,99 ₽ от 62 шт.
358,19 ₽ от 70 шт.
305,00 ₽ от 100 шт.
287,58 ₽ от 150 шт.
Avnet
На складе 260 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 02:41 06.03.2021
370,42 ₽ от 30 шт.
369,72 ₽ от 40 шт.
368,97 ₽ от 70 шт.
315,36 ₽ от 150 шт.
312,99 ₽ от 300 шт.
310,61 ₽ от 1500 шт.
308,24 ₽ от 3000 шт.
NAC Semi
На складе 465 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 23:28 04.03.2021
336,82 ₽ от 50 шт.
314,75 ₽ от 465 шт.
Newark
На складе 483 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:23 06.03.2021
585,37 ₽ от 1 шт.
505,23 ₽ от 10 шт.
473,87 ₽ от 25 шт.
444,84 ₽ от 50 шт.
413,48 ₽ от 100 шт.
393,73 ₽ от 250 шт.
Newark
На складе 260 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 03:23 06.03.2021
473,87 ₽ от 30 шт.
444,84 ₽ от 50 шт.
413,48 ₽ от 100 шт.
393,73 ₽ от 250 шт.
One Stop Electro
На складе 34 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
NAC Semi
На складе 95 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 23:28 04.03.2021
Цена по запросу.
Classic Components
На складе 139 шт.
Обновлено 23:01 04.03.2021
Цена по запросу.
Arrow.cn
На складе 85 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 05.03.2021
575,63 ₽ от 1 шт.
459,24 ₽ от 10 шт.
456,93 ₽ от 25 шт.
445,77 ₽ от 32 шт.
442,05 ₽ от 40 шт.
437,43 ₽ от 50 шт.
433,07 ₽ от 62 шт.
395,73 ₽ от 70 шт.
336,96 ₽ от 100 шт.
317,71 ₽ от 150 шт.
element14 APAC
На складе 483 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:46 06.03.2021
647,45 ₽ от 1 шт.
549,76 ₽ от 10 шт.
439,61 ₽ от 100 шт.
414,71 ₽ от 250 шт.
390,77 ₽ от 500 шт.
349,58 ₽ от 1000 шт.
LCSC
На складе 12 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:28 04.03.2021
813,28 ₽ от 1 шт.
701,48 ₽ от 10 шт.
681,06 ₽ от 30 шт.
660,65 ₽ от 100 шт.
651,36 ₽ от 500 шт.
640,24 ₽ от 1000 шт.
GreenTree Electronics
На складе 125 шт.
Обновлено 10:34 21.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor HGTG18N120BND, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
1.20 kV
Тип корпуса / Кейс:
TO-247
Текущий рейтинг:
54.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tube, Rail
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
390 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
22.0 ns
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
1.20 kV
  • Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
  • HGTG18N120BND Series 1200 V 54 A Flange Mount NPT N-Channel IGBT-TO-247
  • IGBT, N, TO-247
  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current:54A
  • Collector Emitter Voltage Vces:2.7V
  • Power Dissipation Pd:390W
  • Напряжение коллектор-эмиттер V (br) ceo: 1,2 кВ
  • Transistor Case Style:TO-247
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
  • Alternate Case Style:SOT-249
  • Current Ic @ Vce Sat:18A
  • Current Ic Continuous a Max:54A
  • Device Marking:HGTG18N120BND
  • Fall Time Max:140ns
  • Fall Time Typ:90ns
  • Package / Case:TO-247
  • Power Dissipation Max:390W
  • Power Dissipation Pd:390W
  • Power Dissipation Pd:390W
  • Pulsed Current Icm:160A
  • Rise Time:22ns
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:1.2kV
  • HGTG18N120BND is based on Non- Punch Through(NPT) IGBT designs. The IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as UPS, solar inverter, motor control and power supplies.

Документы по ON Semiconductor HGTG18N120BND, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Заявление о достижении
(3 страницы, 31.08.2013)
Лист материалов
(3 страницы, 31.08.2013)