Компоненты » Дискретные полупроводники » Транзисторы » БТИЗ

ON Semiconductor
HGTG30N60B3

Trans IGBT Chip N=-CH 600V 60A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail

Цена от 252,73 ₽ до 3 735,26 ₽

Datasheet

Наличие ON Semiconductor HGTG30N60B3 на складах.

Дистрибьютор

Наличие и цена

RS Components

На складе 32 шт.

MOQ 1 шт.

Обновлено 16:01 15.02.2021

785,28 ₽ от 1 шт.

769,05 ₽ от 5 шт.

RS Components

На складе 343 шт.

MOQ 1 шт.

Обновлено 16:01 15.02.2021

769,05 ₽ от 5 шт.

Farnell

На складе 411 шт.

MOQ 1 шт.

Обновлено 03:37 16.02.2021

3 735,26 ₽ от 1 шт.

2 864,16 ₽ от 10 шт.

2 160,32 ₽ от 100 шт.

2 027,91 ₽ от 500 шт.

1 986,10 ₽ от 1000 шт.

Verical

На складе 230 шт.

MOQ 3 шт.

Обновлено 17:39 16.02.2021

559,65 ₽ от 3 шт.

492,66 ₽ от 10 шт.

343,56 ₽ от 100 шт.

313,32 ₽ от 250 шт.

308,12 ₽ от 500 шт.

305,71 ₽ от 1000 шт.

Rochester Electronics

На складе 886 шт.

Обновлено 09:55 16.02.2021

337,76 ₽ от 1 шт.

331,00 ₽ от 25 шт.

324,25 ₽ от 100 шт.

317,50 ₽ от 500 шт.

310,74 ₽ от 1000 шт.

Arrow Electronics

На складе 230 шт.

MOQ 1 шт.

Обновлено 16:18 16.02.2021

582,04 ₽ от 1 шт.

512,37 ₽ от 10 шт.

357,30 ₽ от 100 шт.

325,86 ₽ от 250 шт.

320,45 ₽ от 500 шт.

317,94 ₽ от 1000 шт.

Digi-Key

На складе 369 шт.

MOQ 1 шт.

Обновлено 14:16 16.02.2021

Упаковка Tube

645,63 ₽ от 1 шт.

541,89 ₽ от 10 шт.

511,47 ₽ от 25 шт.

438,42 ₽ от 100 шт.

389,70 ₽ от 500 шт.

333,68 ₽ от 1000 шт.

321,69 ₽ от 2500 шт.

Mouser

На складе 613 шт.

MOQ 1 шт.

Обновлено 18:55 15.02.2021

Упаковка Tube

608,10 ₽ от 1 шт.

517,61 ₽ от 10 шт.

517,61 ₽ от 50 шт.

413,86 ₽ от 100 шт.

328,88 ₽ от 1000 шт.

328,88 ₽ от 10000 шт.

Newark

На складе 202 шт.

MOQ 1 шт.

Обновлено 04:01 16.02.2021

335,15 ₽ от 1 шт.

335,15 ₽ от 10 шт.

335,15 ₽ от 25 шт.

335,15 ₽ от 50 шт.

335,15 ₽ от 100 шт.

335,15 ₽ от 250 шт.

Verical

На складе 202 шт.

MOQ 18 шт.

Обновлено 17:39 16.02.2021

393,01 ₽ от 18 шт.

Avnet

На складе 202 шт.

MOQ 1 шт.

Обновлено 02:47 16.02.2021

654,24 ₽ от 1 шт.

556,67 ₽ от 10 шт.

519,95 ₽ от 25 шт.

482,07 ₽ от 50 шт.

445,34 ₽ от 100 шт.

420,09 ₽ от 250 шт.

436,16 ₽ от 500 шт.

Andel Nordic

На складе 857 шт.

Обновлено 02:07 13.02.2021

Цена по запросу.

Arrow.cn

На складе 230 шт.

MOQ 1 шт.

Обновлено 16:16 02.02.2021

252,73 ₽ от 1 шт.

element14 APAC

На складе 410 шт.

MOQ 1 шт.

Обновлено 14:50 16.02.2021

816,28 ₽ от 1 шт.

694,61 ₽ от 10 шт.

555,69 ₽ от 100 шт.

524,07 ₽ от 250 шт.

492,45 ₽ от 500 шт.

Технические характеристики ON Semiconductor HGTG30N60B3, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:

600 V

Тип корпуса / Кейс:

TO-247

Текущий рейтинг:

60.0 A

Lead-Free Status:

Lead Free

Статус жизненного цикла:

Active

Mounting Style:

Through Hole

Рабочая Температура:

-55.0 °C to 150 °C

Упаковка:

Rail

Количество выводов:

Полярность:

NPN, N-Channel

Рассеяние мощности:

208 W

REACH SVHC Compliance:

No SVHC

RoHS:

Compliant

Номинальное напряжение (постоянный ток):

600 V

Trans IGBT Chip N=-CH 600V 60A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
TRANSISTOR, IGBT
Тип транзистора: IGBT
DC Collector Current:60A
Collector Emitter Voltage Vces:1.45V
Рассеиваемая мощность Pd: 208 Вт
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V
Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C
Transistor Case Style:TO-247
Количество контактов: 3
SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
Current Ic Continuous a Max:60A
Package / Case:TO-247
Power Dissipation Max:208W
Рассеиваемая мощность Pd: 208 Вт
Тип прекращения: сквозное отверстие
Transistor Polarity:N Channel
Voltage Vces:1.45V
The HGTG30N60B3 combines the best features of high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as UPS, solar inverter and power supplies.