Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

ON Semiconductor
HGTP7N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

Цена от 112,58 ₽ до 1 219,53 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor HGTP7N60A4 на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Digi-Key
На складе 703 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:16 16.02.2021
Упаковка Tube
206,38 ₽ от 1 шт.
171,39 ₽ от 10 шт.
165,77 ₽ от 25 шт.
136,38 ₽ от 100 шт.
115,40 ₽ от 500 шт.
iodParts
На складе 800 шт.
Обновлено 11:48 04.02.2021
116,90 ₽ от 500 шт.
Newark
На складе 1078 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 04:01 16.02.2021
214,64 ₽ от 1 шт.
192,83 ₽ от 10 шт.
142,33 ₽ от 100 шт.
120,52 ₽ от 500 шт.
Rochester Electronics
На складе 21536 шт.
Обновлено 09:55 16.02.2021
133,84 ₽ от 1 шт.
131,16 ₽ от 25 шт.
128,48 ₽ от 100 шт.
125,81 ₽ от 500 шт.
123,13 ₽ от 1000 шт.
Andel Nordic
На складе 641 шт.
Обновлено 02:07 13.02.2021
Цена по запросу.
One Stop Electro
На складе 343 шт.
Обновлено 00:55 16.02.2021
Цена по запросу.
Abacus Technologies
На складе 22360 шт.
Обновлено 18:59 16.02.2021
Цена по запросу.
Farnell
На складе 1084 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:37 16.02.2021
1 219,53 ₽ от 1 шт.
933,81 ₽ от 10 шт.
717,78 ₽ от 100 шт.
689,91 ₽ от 250 шт.
600,71 ₽ от 500 шт.
531,02 ₽ от 1000 шт.
510,11 ₽ от 5000 шт.
Win Source Electronics
На складе 2707 шт.
MOQ 40 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
166,77 ₽ от 40 шт.
137,58 ₽ от 95 шт.
133,39 ₽ от 145 шт.
129,20 ₽ от 200 шт.
125,01 ₽ от 255 шт.
112,58 ₽ от 340 шт.
element14 APAC
На складе 1077 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:50 16.02.2021
274,01 ₽ от 1 шт.
247,18 ₽ от 10 шт.
232,81 ₽ от 25 шт.
182,04 ₽ от 100 шт.
154,25 ₽ от 500 шт.
LCSC
На складе 777 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:26 16.02.2021
292,43 ₽ от 1 шт.
215,20 ₽ от 10 шт.
200,99 ₽ от 30 шт.
186,78 ₽ от 100 шт.
180,59 ₽ от 500 шт.
177,39 ₽ от 1000 шт.

Технические характеристики ON Semiconductor HGTP7N60A4, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Текущий рейтинг:
34.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Not Recommended for New Designs
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
125 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
11.0 ns
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
600 V
  • Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
  • HGTP7N60A4 Series 600 V 34 A Flange Mount SMPS N-Channel IGBT-TO-220AB
  • IGBT, N, TO-220
  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current:34A
  • Collector Emitter Voltage Vces:2.7V
  • Рассеиваемая мощность Pd: 125 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V
  • Тип корпуса транзистора: TO-220AB
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
  • Current Ic Continuous a Max:34A
  • Текущая температура: 25 ° C
  • Fall Time tf:45ns
  • Температура при полной мощности: 25 ° C
  • Количество транзисторов: 1
  • Package / Case:TO-220AB
  • Pin Format:GCE
  • Power Dissipation Max:125W
  • Рассеиваемая мощность Pd: 125 Вт
  • Рассеиваемая мощность Pd: 125 Вт
  • Power Dissipation Ptot Max:125W
  • Pulsed Current Icm:56A
  • Время нарастания: 11 нс
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:600V
  • The HGTP7N60A4 combines the best features of high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. This IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for fast switching applications, such as UPS and welder.

Документы по ON Semiconductor HGTP7N60A4, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(8 страниц, 08.11.2017)
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Лист материалов
(3 страницы, 07.12.2013)
Заявление о достижении
(3 страницы, 09.08.2014)