Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
IRLM120ATF

Transistor, mosfet, n-Channel, 100V V(Br)Dss, 2.3A I(D), sot-223 Rohs Compliant: Yes

Цена от 22,38 ₽ до 346,85 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor IRLM120ATF на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 5
В наличии до 8000 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена от 22,38 ₽ до 31,46 ₽
США
На складе 8000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 02:49 27.02.2021
26,05 ₽ от 4000 шт.
25,68 ₽ от 8000 шт.
24,95 ₽ от 16000 шт.
24,40 ₽ от 24000 шт.
23,48 ₽ от 32000 шт.
22,93 ₽ от 40000 шт.
22,38 ₽ от 400000 шт.
США
На складе 8000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 17:50 27.02.2021
25,04 ₽ от 4000 шт.
США
На складе 8000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 16:06 27.02.2021
31,46 ₽ от 4000 шт.
31,15 ₽ от 20000 шт.
28,33 ₽ от 24000 шт.
27,36 ₽ от 100000 шт.
США
На складе 594 шт.
Обновлено 02:07 13.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 2000 шт.
Обновлено 11:48 04.02.2021
Цена по запросу.
Азия 1
В наличии до 870 шт.
MOQ от 19 шт.
Цена от 234,07 ₽ до 346,85 ₽
Китай
На складе 870 шт.
MOQ 19 шт.
Обновлено 12:30 26.02.2021
346,85 ₽ от 19 шт.
286,20 ₽ от 50 шт.
277,43 ₽ от 70 шт.
268,78 ₽ от 100 шт.
260,14 ₽ от 125 шт.
234,07 ₽ от 170 шт.

Технические характеристики ON Semiconductor IRLM120ATF, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
100 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOT-223
Continuous Drain Current (Ids):
2.30 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Obsolete
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Reel
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
2.70 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
220 mΩ
RoHS:
Compliant
  • Transistor,mosfet,n-Channel,100V V(Br)Dss,2.3A I(D),sot-223 Rohs Compliant: Yes
  • Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin (3+Tab) SOT-223 T/R
  • N-Channel A-FET 200V, 1.13A, 800mΩ
  • MOSFETs 100V N-Channel a-FET Logic Level

Документы по ON Semiconductor IRLM120ATF, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Заявление о достижении
(3 страницы, 23.11.2013)
Лист материалов
(3 страницы, 23.11.2013)