Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Диоды  »  Выпрямительные диоды

ON Semiconductor
ISL9R8120P2

Diode Switching 1.2KV 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail

Цена от 111,33 ₽ до 164,95 ₽

Наличие ON Semiconductor ISL9R8120P2 на складах.

Склад
Наличие и цена
Азия 1
В наличии до 900 шт.
MOQ от 40 шт.
Цена от 111,33 ₽ до 164,95 ₽
Китай
На складе 900 шт.
MOQ 40 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
164,95 ₽ от 40 шт.
136,11 ₽ от 95 шт.
131,91 ₽ от 145 шт.
127,85 ₽ от 200 шт.
123,65 ₽ от 260 шт.
111,33 ₽ от 345 шт.
Европа 1
В наличии до 380 шт.
MOQ от 100 шт.
Британия
На складе 380 шт.
Обновлено 01:05 01.03.2021
Цена по запросу.
Америка 1
В наличии до 125 шт.
MOQ от 100 шт.
США
На складе 125 шт.
Обновлено 16:42 28.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor ISL9R8120P2, атрибуты и параметры.

Емкость:
30.0 pF
Текущий рейтинг:
8.00 A
Прямое напряжение:
3.30 V
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Obsolete
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Выходной ток:
8.00 A (max)
Упаковка:
Tube, Rail
Количество выводов:
2
Полярность:
Standard
Рассеяние мощности:
71.0 W (max)
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
1.20 kV
  • Diode Switching 1.2KV 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail
  • Диод
  • Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:1200V
  • Forward Current, If(AV):8A
  • Forward Voltage Max, VF:3.3V
  • Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C
  • Package/Case:TO-220AC
  • Leaded Process Compatible:Yes
  • Соответствует RoHS: Да
  • The ISL9R8120P2 is a STEALTH™ diode optimized for low loss performance in high frequency hard switched applications. The STEALTH™ family exhibits low reverse recovery current (IRM(REC)) and exceptionally soft recovery under typical operating conditions. This device is intended for use as a free wheeling or boost diode in power supplies and other power switching applications. The low IRM(REC) and short ta phase reduce loss in switching transistors. The soft recovery minimizes ringing, expanding the range of conditions under which the diode may be operated without the use of additional snubber circuitry. Consider using the STEALTH™ diode with an SMPS IGBT to provide the most efficient and highest power density design at lower cost.

Документы по ON Semiconductor ISL9R8120P2, инструкции, описания, datasheet.

Товары похожие на ON Semiconductor ISL9R8120P2, сравнение характеристик.