ON Semiconductor
J113
J113 Series 35 V 2 mA Through Hole N-Channel Switch - TO-92
Цена от 6,56 ₽ до 293,56 ₽
Наличие ON Semiconductor J113 на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
Технические характеристики ON Semiconductor J113, атрибуты и параметры.
Напряжение пробоя:
-35.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
40.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-92
Текущий рейтинг:
50.0 mA
Continuous Drain Current (Ids):
2.00 mA
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Box
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
625 mW
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
100 Ω
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
35.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
35.0 V
- J113 Series 35 V 2 mA Through Hole N-Channel Switch - TO-92
- N-Channel Switch This device is designed for low level analog switching, sample and hold circuits and chopper stabilized amplifiers. Sourced from Process 51.
- TRANSISTOR, JFET, N, TO-92
- Transistor Type:JFET
- Breakdown Voltage Vbr:-35V
- Zero Gate Voltage Drain Current Idss:2mA
- Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:3V
- Рассеиваемая мощность Pd: 625 мВт
- Transistor Case Style:TO-92
- Количество контактов: 3
- SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
- Application Code:SW
- Current Idss Max:2mA
- Current Idss Min:2mA
- Current Ig:50mA
- Device Marking:J113
- Drain Source Voltage Vds:35V
- Температура при полной мощности: 25 ° C
- Количество транзисторов: 1
- Упаковка / ящик: TO-92
- Pin Configuration:m
- Pin Format:m
- Рассеиваемая мощность Pd: 625 мВт
- Максимальная мощность рассеиваемой мощности: 350 мВт
- Тип прекращения: сквозное отверстие
- Transistor Polarity:N Channel
