Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
MGSF1N02LT1G

MGSF1N02LT1G N-channel MOSFET Transistor; 0.75 A; 20 V; 3-Pin SOT-23

Цена от 10,56 ₽ до 388,63 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor MGSF1N02LT1G на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 6
В наличии до 15440 шт.
MOQ от 3 шт.
Цена от 15,36 ₽ до 388,63 ₽
Польша
На складе 2618 шт.
MOQ 3 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
32,90 ₽ от 3 шт.
22,76 ₽ от 25 шт.
18,37 ₽ от 100 шт.
16,59 ₽ от 500 шт.
15,36 ₽ от 3000 шт.
Британия
На складе 15440 шт.
MOQ 20 шт.
Обновлено 23:28 03.03.2021
44,79 ₽ от 20 шт.
22,88 ₽ от 100 шт.
19,98 ₽ от 200 шт.
17,08 ₽ от 1000 шт.
Британия
На складе 480 шт.
MOQ 20 шт.
Обновлено 23:28 03.03.2021
44,79 ₽ от 20 шт.
22,88 ₽ от 100 шт.
19,98 ₽ от 200 шт.
17,08 ₽ от 1000 шт.
Британия
На складе 1137 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 14:59 03.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
388,63 ₽ от 5 шт.
250,33 ₽ от 10 шт.
147,99 ₽ от 100 шт.
99,58 ₽ от 500 шт.
87,13 ₽ от 3000 шт.
Британия
На складе 650 шт.
Обновлено 01:05 01.03.2021
Цена по запросу.
Швеция
На складе 4 шт.
Обновлено 07:20 22.02.2021
Цена по запросу.
Америка 17
В наличии до 72000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 10,56 ₽ до 53,04 ₽
США
На складе 6000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 17:48 03.03.2021
12,30 ₽ от 3000 шт.
11,33 ₽ от 6000 шт.
10,56 ₽ от 15000 шт.
США
На складе 24000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 17:48 03.03.2021
15,61 ₽ от 3000 шт.
13,61 ₽ от 6000 шт.
12,84 ₽ от 12000 шт.
США
На складе 27563 шт.
Обновлено 10:05 04.03.2021
14,47 ₽ от 1 шт.
14,18 ₽ от 25 шт.
13,89 ₽ от 100 шт.
13,61 ₽ от 500 шт.
13,32 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 24000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 15:55 03.03.2021
16,24 ₽ от 3000 шт.
14,16 ₽ от 6000 шт.
13,35 ₽ от 12000 шт.
США
На складе 19486 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 17:24 01.03.2021
14,45 ₽ от 3000 шт.
13,48 ₽ от 19486 шт.
США
На складе 27563 шт.
MOQ 2674 шт.
Обновлено 03:20 04.03.2021
16,80 ₽ от 2674 шт.
16,78 ₽ от 2700 шт.
14,40 ₽ от 5400 шт.
14,29 ₽ от 14000 шт.
14,18 ₽ от 27000 шт.
14,08 ₽ от 140000 шт.
13,97 ₽ от 270000 шт.
США
На складе 2717 шт.
MOQ 79 шт.
Обновлено 17:48 03.03.2021
32,96 ₽ от 79 шт.
20,10 ₽ от 100 шт.
18,63 ₽ от 250 шт.
17,18 ₽ от 500 шт.
15,26 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 1296 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:18 03.03.2021
Упаковка Cut Tape
53,04 ₽ от 1 шт.
41,55 ₽ от 10 шт.
39,69 ₽ от 25 шт.
24,91 ₽ от 100 шт.
23,07 ₽ от 500 шт.
15,68 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 2717 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:55 03.03.2021
Упаковка Cut Tape
46,27 ₽ от 1 шт.
34,31 ₽ от 10 шт.
34,28 ₽ от 25 шт.
20,91 ₽ от 100 шт.
19,38 ₽ от 250 шт.
17,87 ₽ от 500 шт.
15,87 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 72000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 03:39 04.03.2021
17,12 ₽ от 3000 шт.
16,66 ₽ от 6000 шт.
16,43 ₽ от 12000 шт.
Канада
На складе 2751 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:49 04.03.2021
Упаковка Cut Tape
48,66 ₽ от 1 шт.
28,86 ₽ от 50 шт.
26,59 ₽ от 100 шт.
21,39 ₽ от 500 шт.
18,56 ₽ от 1500 шт.
США
На складе 1137 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 03:39 04.03.2021
Упаковка Cut Tape (5 шт.)
52,87 ₽ от 5 шт.
39,76 ₽ от 10 шт.
24,02 ₽ от 100 шт.
20,46 ₽ от 500 шт.
Канада
На складе 382 шт.
Обновлено 16:58 28.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 610 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 31961 шт.
Обновлено 19:22 22.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 119 шт.
Обновлено 20:24 19.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 2118 шт.
Обновлено 16:26 02.03.2021
Цена по запросу.
Азия 4
В наличии до 24000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 13,42 ₽ до 63,56 ₽
Китай
На складе 24000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 03:39 04.03.2021
13,42 ₽ от 3000 шт.
Китай
На складе 24000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 15:37 03.03.2021
18,01 ₽ от 3000 шт.
15,70 ₽ от 6000 шт.
14,81 ₽ от 12000 шт.
Китай
На складе 4743 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:27 02.03.2021
33,49 ₽ от 1 шт.
25,74 ₽ от 10 шт.
24,30 ₽ от 30 шт.
22,88 ₽ от 100 шт.
22,25 ₽ от 500 шт.
21,93 ₽ от 1000 шт.
Сингапур
На складе 1137 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 14:45 03.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
63,56 ₽ от 5 шт.
58,22 ₽ от 25 шт.
36,55 ₽ от 100 шт.
33,79 ₽ от 500 шт.
23,10 ₽ от 1000 шт.

Технические характеристики ON Semiconductor MGSF1N02LT1G, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
20.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOT-23
Текущий рейтинг:
750 mA
Continuous Drain Current (Ids):
750 mA
Входная емкость:
125 pF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
400 mW
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
90.0 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
1.00 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
20.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
20.0 V
  • MGSF1N02LT1G N-channel MOSFET Transistor
  • 0.75 A
  • 20 В
  • 3-контактный SOT-23
  • MGSF1N02L: Small Signal MOSFET 20V 750mA 90 mOhm Single N-Channel SOT-23
  • N-Channel 20 V 90 mOhm 440 mW Surface Mount Power MOSFET - SOT-23
  • MOSFET N Trench 20V 750mA 2.4V @ 250uA 90 m¦¸ @ 1.2A,10V SOT-23-3 RoHS
  • Single N-Channel Power MOSFET 20V 750mA 90 mΩ
  • Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R

Документы по ON Semiconductor MGSF1N02LT1G, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(4 страницы, 05.05.2006)
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Заявление о достижении
(8 страниц, 14.01.2015)