ON Semiconductor
MJE181G
3.0 A, 60 V NPN Bipolar Power Transistor
Цена от 15,59 ₽ до 352,30 ₽
Наличие ON Semiconductor MJE181G на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 16127 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 15,59 ₽ до 71,08 ₽
На складе 1148 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 04:00 09.02.2021
На складе 9000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 17:46 09.02.2021
На складе 10059 шт.
MOQ 500 шт.
Обновлено 01:59 10.02.2021
На складе 1148 шт.
MOQ 371 шт.
Обновлено 17:46 09.02.2021
На складе 2789 шт.
MOQ 33 шт.
Обновлено 17:46 09.02.2021
На складе 16127 шт.
Обновлено 09:57 09.02.2021
На складе 1190 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:40 09.02.2021
Упаковка Bulk На складе 2789 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:10 09.02.2021
На складе 508 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:29 08.02.2021
Упаковка Bulk На складе 1288 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:59 10.02.2021
На складе 368 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 04:00 09.02.2021
На складе 194 шт.
Обновлено 17:44 01.02.2021
Цена по запросу.
На складе 664 шт.
Обновлено 19:17 05.02.2021
Цена по запросу.
На складе 1481 шт.
Обновлено 15:54 09.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 371 шт.
MOQ от 5 шт.
Цена от 111,84 ₽ до 352,30 ₽
На складе 371 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 15:24 09.02.2021
В наличии до 2789 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 23,32 ₽ до 74,82 ₽
На складе 2789 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:16 02.02.2021
На складе 6 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:26 09.02.2021
Упаковка Bulk На складе 368 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:48 09.02.2021
На складе 1928 шт.
Обновлено 15:57 26.01.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики ON Semiconductor MJE181G, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
60.0 V
Текущий рейтинг:
3.00 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Bulk
Количество выводов:
3
Полярность:
NPN, N-Channel
Рассеяние мощности:
12.5 W (max)
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
60.0 V
- 3.0 A, 60 V NPN Bipolar Power Transistor
- Trans GP BJT NPN 60V 3A 12500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
- MJE Series 80 V 3 A NPN Complementary Plastic Silicon Power Transistor TO-225
Документы по ON Semiconductor MJE181G, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на ON Semiconductor MJE181G, сравнение характеристик.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 60.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-225-3.
Текущий рейтинг 4.00 A.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Bulk.
Количество выводов 3.
Полярность NPN.
Рассеяние мощности 40.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 60.0 V.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 60.0 V.
Текущий рейтинг 10.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Bulk.
Количество выводов 3.
Полярность NPN, N-Channel.
Рассеяние мощности 75.0 W.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 60.0 V.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 60.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-225-3.
Текущий рейтинг 4.00 A.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Bulk.
Количество выводов 3.
Полярность NPN.
Рассеяние мощности 40.0 W (max).
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 60.0 V.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 60.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-92.
Текущий рейтинг 500 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Bulk.
Количество выводов 3.
Полярность NPN.
Рассеяние мощности 625 mW (max).
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 60.0 V.