ON Semiconductor
MJE200G
5.0 A, 25 V NPN Bipolar Power Transistor
Цена от 19,49 ₽ до 336,67 ₽
Наличие ON Semiconductor MJE200G на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 1000 шт.
MOQ 500 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
На складе 1727 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Bulk На складе 80 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:44 23.02.2021
Упаковка Box На складе 208755 шт.
Обновлено 10:06 23.02.2021
На складе 2000 шт.
MOQ 500 шт.
Обновлено 02:48 20.02.2021
На складе 9 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:26 23.02.2021
На складе 2000 шт.
MOQ 500 шт.
Обновлено 02:53 23.02.2021
На складе 373 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:48 20.02.2021
На складе 173 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:53 23.02.2021
На складе 2500 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 17:33 22.02.2021
На складе 30 шт.
Обновлено 11:25 22.02.2021
На складе 156 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
На складе 500 шт.
Обновлено 16:14 17.02.2021
Цена по запросу.
На складе 4855 шт.
Обновлено 20:24 19.02.2021
Цена по запросу.
На складе 1155 шт.
Обновлено 17:57 22.02.2021
Цена по запросу.
На складе 22360 шт.
Обновлено 18:55 17.02.2021
Цена по запросу.
На складе 3000 шт.
MOQ 500 шт.
Обновлено 07:49 23.02.2021
На складе 2350 шт.
MOQ 500 шт.
Обновлено 05:45 23.02.2021
На складе 337 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 16:53 23.02.2021
На складе 9 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:42 23.02.2021
На складе 173 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 23.02.2021
На складе 234 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 23.02.2021
На складе 3400 шт.
MOQ 165 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
На складе 5438 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:35 22.02.2021
На складе 3 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:18 23.02.2021
Технические характеристики ON Semiconductor MJE200G, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
25.0 V
Текущий рейтинг:
5.00 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Bulk
Количество выводов:
3
Полярность:
NPN, N-Channel
Рассеяние мощности:
1.50 W (max)
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
25.0 V
- 5.0 A, 25 V NPN Bipolar Power Transistor
- Trans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
- MJE Series 40 V 5 A NPN Complementary Silicon Plastic Power Transistor - TO-225
Документы по ON Semiconductor MJE200G, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на ON Semiconductor MJE200G, сравнение характеристик.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-92.
Текущий рейтинг 200 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Bulk.
Количество выводов 3.
Полярность NPN.
Рассеяние мощности 625 mW.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 25.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-92.
Текущий рейтинг 50.0 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Bulk.
Количество выводов 3.
Полярность NPN.
Рассеяние мощности 1.50 W (max).
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 25.0 V.