ON Semiconductor
MMBF4117
MMBF4117 Series 40 V 90 uA Surface Mount N-Channel Switch - SOT-23-3
Цена от 5,85 ₽ до 59,19 ₽
Наличие ON Semiconductor MMBF4117 на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 4334 шт.
Обновлено 14:13 05.03.2021
На складе 1949 шт.
MOQ 56 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
На складе 1949 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:20 05.03.2021
Упаковка Cut Tape На складе 13456 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:48 05.03.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 9000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
На складе 2501 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:47 05.03.2021
Упаковка Cut Tape На складе 11000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 23:28 04.03.2021
На складе 17000 шт.
Обновлено 17:25 01.03.2021
Цена по запросу.
На складе 30 шт.
Обновлено 16:53 04.03.2021
Цена по запросу.
На складе 2 шт.
Обновлено 16:42 28.02.2021
Цена по запросу.
На складе 834 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
На складе 21000 шт.
Обновлено 11:34 04.03.2021
Цена по запросу.
На складе 13860 шт.
Обновлено 23:01 04.03.2021
Цена по запросу.
На складе 11000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 07:20 06.03.2021
На складе 75 шт.
Обновлено 01:05 01.03.2021
Цена по запросу.
На складе 1949 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 05.03.2021
На складе 9000 шт.
MOQ 295 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
На складе 7553 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:28 04.03.2021
На складе 16980 шт.
Обновлено 10:34 21.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики ON Semiconductor MMBF4117, атрибуты и параметры.
Напряжение пробоя:
-40.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
40.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-236, SOT-23-3, SC-59
Текущий рейтинг:
50.0 mA
Continuous Drain Current (Ids):
50.0 mA
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
225 mW
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
40.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
40.0 V
- MMBF4117 Series 40 V 90 uA Surface Mount N-Channel Switch - SOT-23-3
- JFET,SWITCH,N CH,40V,SOT-23
- Transistor Type:JFET
- Breakdown Voltage Vbr:40V
- Zero Gate Voltage Drain Current Idss:30µA to 90µA
- Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:1.8V
- Power Dissipation Pd:225mW
- Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C
- Transistor Case Style:SOT-23
- Количество контактов: 3
- SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
- Power Dissipation Pd:225mW
- This device is designed for low current DC and audio applications. These devices provide excellent performance as input stages for sub-picoamp instrumentation or any high impedance signal sources. Sourced from Process 53.