Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  JFET-транзисторы

ON Semiconductor
MMBF4391

N-Channel 30 V 30 Ohm 50 mA Surface Mount Switch - SOT-23-3

Цена от 8,86 ₽ до 46,51 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor MMBF4391 на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 6
В наличии до 17660 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 8,86 ₽ до 46,51 ₽
США
На складе 1324 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:37 19.02.2021
Упаковка Tape & Reel
46,51 ₽ от 1 шт.
32,33 ₽ от 10 шт.
32,33 ₽ от 50 шт.
14,84 ₽ от 100 шт.
11,41 ₽ от 1000 шт.
8,86 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 17660 шт.
MOQ 3562 шт.
Обновлено 02:48 20.02.2021
10,57 ₽ от 3562 шт.
10,35 ₽ от 3600 шт.
10,19 ₽ от 7200 шт.
10,02 ₽ от 18000 шт.
9,86 ₽ от 36000 шт.
9,70 ₽ от 180000 шт.
9,54 ₽ от 360000 шт.
США
На складе 17660 шт.
Обновлено 10:03 21.02.2021
10,88 ₽ от 1 шт.
10,66 ₽ от 25 шт.
10,44 ₽ от 100 шт.
10,23 ₽ от 500 шт.
10,01 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 100 шт.
Обновлено 22:46 09.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 1798 шт.
Обновлено 16:14 17.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 6930 шт.
Обновлено 00:25 19.02.2021
Цена по запросу.
Европа 2
В наличии до 4680 шт.
MOQ от 100 шт.
Британия
На складе 100 шт.
Обновлено 21:49 15.02.2021
Цена по запросу.
Германия
На складе 4680 шт.
Обновлено 14:03 18.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor MMBF4391, атрибуты и параметры.

Напряжение пробоя:
-30.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
30.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-236, SOT-23-3, SC-59
Текущий рейтинг:
50.0 mA
Continuous Drain Current (Ids):
50.0 mA
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
350 mW
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
30.0 Ω
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
30.0 V
  • N-Channel 30 V 30 Ohm 50 mA Surface Mount Switch - SOT-23-3
  • N-Channel Switch This device is designed for low level analog switching, sample and hold circuits and chopper stabalized amplifiers. Sourced from Process 51. See J111 for characteristics.
  • TRANSISTOR, JFET, N, SMD, SOT-323
  • Transistor Type:JFET
  • Breakdown Voltage Vbr:30V
  • Zero Gate Voltage Drain Current Idss:50mA to 150mA
  • Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:10V
  • Power Dissipation Pd:350mW
  • Тип корпуса транзистора: SOT-323
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
  • Current Idss Max:150mA
  • Current Idss Min:50mA
  • Упаковка / ящик: SOT-323
  • Power Dissipation Pd:350mW
  • Максимальная мощность рассеиваемой мощности: 350 мВт
  • Тип завершения: SMD
  • Transistor Polarity:N Channel

Документы по ON Semiconductor MMBF4391, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(10 страниц, 09.03.2001)
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Заявление о достижении
(3 страницы, 31.08.2013)
Лист материалов
(3 страницы, 31.08.2013)