ON Semiconductor
MMBF4391
N-Channel 30 V 30 Ohm 50 mA Surface Mount Switch - SOT-23-3
Цена от 8,86 ₽ до 46,51 ₽
Наличие ON Semiconductor MMBF4391 на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 1324 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:37 19.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 17660 шт.
MOQ 3562 шт.
Обновлено 02:48 20.02.2021
На складе 17660 шт.
Обновлено 10:03 21.02.2021
На складе 100 шт.
Обновлено 22:46 09.02.2021
Цена по запросу.
На складе 1798 шт.
Обновлено 16:14 17.02.2021
Цена по запросу.
На складе 6930 шт.
Обновлено 00:25 19.02.2021
Цена по запросу.
На складе 100 шт.
Обновлено 21:49 15.02.2021
Цена по запросу.
На складе 4680 шт.
Обновлено 14:03 18.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики ON Semiconductor MMBF4391, атрибуты и параметры.
Напряжение пробоя:
-30.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
30.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-236, SOT-23-3, SC-59
Текущий рейтинг:
50.0 mA
Continuous Drain Current (Ids):
50.0 mA
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
350 mW
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
30.0 Ω
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
30.0 V
- N-Channel 30 V 30 Ohm 50 mA Surface Mount Switch - SOT-23-3
- N-Channel Switch This device is designed for low level analog switching, sample and hold circuits and chopper stabalized amplifiers. Sourced from Process 51. See J111 for characteristics.
- TRANSISTOR, JFET, N, SMD, SOT-323
- Transistor Type:JFET
- Breakdown Voltage Vbr:30V
- Zero Gate Voltage Drain Current Idss:50mA to 150mA
- Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:10V
- Power Dissipation Pd:350mW
- Тип корпуса транзистора: SOT-323
- Количество контактов: 3
- SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
- Current Idss Max:150mA
- Current Idss Min:50mA
- Упаковка / ящик: SOT-323
- Power Dissipation Pd:350mW
- Максимальная мощность рассеиваемой мощности: 350 мВт
- Тип завершения: SMD
- Transistor Polarity:N Channel