Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  JFET-транзисторы

ON Semiconductor
MMBFJ310LT3G

IC; Transistor; JFET; N-Channel; 25V; SOT-23; Cut Tape

Цена от 11,29 ₽ до 374,64 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor MMBFJ310LT3G на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 6
В наличии до 50000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 11,29 ₽ до 55,36 ₽
США
На складе 50000 шт.
MOQ 10000 шт.
Обновлено 17:47 20.02.2021
11,29 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 50000 шт.
MOQ 10000 шт.
Обновлено 02:48 20.02.2021
13,08 ₽ от 10000 шт.
12,81 ₽ от 20000 шт.
12,61 ₽ от 40000 шт.
12,41 ₽ от 60000 шт.
12,21 ₽ от 80000 шт.
12,01 ₽ от 100000 шт.
11,81 ₽ от 1000000 шт.
США
На складе 3019 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:37 19.02.2021
Упаковка Tape & Reel
55,36 ₽ от 1 шт.
41,41 ₽ от 10 шт.
41,41 ₽ от 50 шт.
24,14 ₽ от 100 шт.
16,39 ₽ от 1000 шт.
12,96 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 6566 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:11 20.02.2021
Упаковка Cut Tape
55,36 ₽ от 1 шт.
45,18 ₽ от 10 шт.
41,37 ₽ от 25 шт.
30,79 ₽ от 100 шт.
27,90 ₽ от 250 шт.
23,09 ₽ от 500 шт.
17,32 ₽ от 1000 шт.
15,88 ₽ от 2500 шт.
14,92 ₽ от 5000 шт.
США
На складе 9592 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 03:02 20.02.2021
Упаковка Cut Tape (5 шт.)
54,12 ₽ от 5 шт.
44,57 ₽ от 10 шт.
30,98 ₽ от 100 шт.
США
На складе 23100 шт.
Обновлено 00:25 19.02.2021
Цена по запросу.
Европа 3
В наличии до 9592 шт.
MOQ от 5 шт.
Цена от 33,72 ₽ до 374,64 ₽
Британия
На складе 170 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 16:27 20.02.2021
46,02 ₽ от 10 шт.
42,35 ₽ от 100 шт.
39,79 ₽ от 250 шт.
36,60 ₽ от 500 шт.
33,72 ₽ от 1000 шт.
Британия
На складе 4800 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 16:27 20.02.2021
46,02 ₽ от 10 шт.
42,35 ₽ от 100 шт.
39,79 ₽ от 250 шт.
36,60 ₽ от 500 шт.
33,72 ₽ от 1000 шт.
Британия
На складе 9592 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 03:32 20.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
374,64 ₽ от 5 шт.
244,63 ₽ от 10 шт.
142,59 ₽ от 100 шт.
86,67 ₽ от 500 шт.
75,49 ₽ от 10000 шт.
Азия 1
В наличии до 9592 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 15,69 ₽ до 67,28 ₽
Сингапур
На складе 9592 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:55 20.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
67,28 ₽ от 1 шт.
50,15 ₽ от 10 шт.
28,01 ₽ от 100 шт.
20,50 ₽ от 1000 шт.
17,81 ₽ от 2500 шт.
16,46 ₽ от 10000 шт.
15,98 ₽ от 20000 шт.
15,69 ₽ от 50000 шт.

Технические характеристики ON Semiconductor MMBFJ310LT3G, атрибуты и параметры.

Напряжение пробоя:
-25.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
25.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOT-23-3
Текущий рейтинг:
10.0 mA
Halogen Free Status:
Halogen Free
Входная емкость:
5.00 pF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
225 mW (max)
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
25.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
25.0 V
  • IC
  • Транзистор
  • JFET
  • N-Channel
  • 25V
  • СОТ-23
  • Отрезать ленту
  • Trans JFET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
  • RF Power Field Effect Transistor
  • Jfet, Aec-Q101, N-Ch, 25V, Sot-23-3
  • Напряжение пробоя Vbr: 25 В
  • Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:24Ma
  • Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:60Ma
  • Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(Off) Max:25V
  • Transistor Type:jfet Rohs Compliant: Yes

Документы по ON Semiconductor MMBFJ310LT3G, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(5 страниц, 13.02.2006)
Заявление Rohs
(1 страница, 17.08.2012)
Лист материалов
Заявление о достижении
(8 страниц, 14.01.2015)