Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
MMDF3N04HDR2G

Power MOSFET 40V 3.4A 80 mOhm Dual N-Channel SO-8
Datasheet

Наличие ON Semiconductor MMDF3N04HDR2G на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 1
В наличии до 1500 шт.
MOQ от 100 шт.
Германия
На складе 1500 шт.
Обновлено 15:03 22.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor MMDF3N04HDR2G, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
40.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Текущий рейтинг:
3.00 A
Continuous Drain Current (Ids):
3.00 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Not Listed by Manufacturer
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
8
Полярность:
N-Channel, Dual N-Channel
Рассеяние мощности:
2.00 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
80.0 mΩ
Время нарастания:
30.0 ns (max)
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
40.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
30.0 V
  • Power MOSFET 40V 3.4A 80 mOhm Dual N-Channel SO-8
  • Trans MOSFET N/P-CH 40V 3.4A 8-Pin SOIC N T/R
  • МОП-транзистор
  • DUAL N
  • 40 VDC
  • + 20 VDC
  • 2 W
  • SO-8
  • 3.4 ADC
  • Dual N Channel Mosfet, 40V, Soic, Full Reel
  • MOSFETs- Power and Small Signal 40V 3A N-Channel

Документы по ON Semiconductor MMDF3N04HDR2G, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(8 страниц, 10.02.2006)
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Заявление о достижении
(8 страниц, 14.01.2015)