Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
NDS356AP

-30V P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Цена от 11,65 ₽ до 288,30 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor NDS356AP на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 4
В наличии до 21877 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 14,72 ₽ до 288,30 ₽
Польша
На складе 913 шт.
MOQ 3 шт.
Обновлено 09:49 26.12.2020
33,65 ₽ от 3 шт.
21,90 ₽ от 25 шт.
17,53 ₽ от 100 шт.
15,85 ₽ от 500 шт.
14,72 ₽ от 3000 шт.
Британия
На складе 1739 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 22:21 26.12.2020
26,31 ₽ от 110 шт.
22,60 ₽ от 500 шт.
15,07 ₽ от 1000 шт.
Британия
На складе 19550 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 17:38 26.12.2020
53,23 ₽ от 50 шт.
36,37 ₽ от 250 шт.
27,28 ₽ от 500 шт.
24,06 ₽ от 1000 шт.
22,35 ₽ от 3000 шт.
Британия
На складе 21877 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 03:24 26.12.2020
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
288,30 ₽ от 5 шт.
227,53 ₽ от 10 шт.
94,69 ₽ от 100 шт.
80,55 ₽ от 3000 шт.
76,31 ₽ от 9000 шт.
76,31 ₽ от 24000 шт.
74,90 ₽ от 45000 шт.
Америка 15
В наличии до 37344 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 11,65 ₽ до 49,04 ₽
США
На складе 1286 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:43 26.12.2020
42,66 ₽ от 1 шт.
34,24 ₽ от 10 шт.
33,36 ₽ от 25 шт.
24,11 ₽ от 100 шт.
23,18 ₽ от 250 шт.
18,88 ₽ от 500 шт.
15,33 ₽ от 1000 шт.
13,64 ₽ от 3000 шт.
11,65 ₽ от 6000 шт.
США
На складе 16963 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 18:54 25.12.2020
Упаковка Tape & Reel
44,58 ₽ от 1 шт.
35,77 ₽ от 10 шт.
35,77 ₽ от 50 шт.
25,19 ₽ от 100 шт.
16,83 ₽ от 1000 шт.
13,49 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 18000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 14:14 26.12.2020
Упаковка Tape & Reel
15,86 ₽ от 3000 шт.
14,32 ₽ от 6000 шт.
13,81 ₽ от 9000 шт.
США
На складе 4740 шт.
MOQ 56 шт.
Обновлено 17:38 26.12.2020
31,51 ₽ от 56 шт.
23,86 ₽ от 100 шт.
22,86 ₽ от 250 шт.
19,00 ₽ от 500 шт.
16,04 ₽ от 1000 шт.
14,24 ₽ от 3000 шт.
США
На складе 4740 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:43 26.12.2020
Упаковка Cut Tape
38,25 ₽ от 1 шт.
34,31 ₽ от 10 шт.
32,77 ₽ от 25 шт.
24,82 ₽ от 100 шт.
23,77 ₽ от 250 шт.
19,76 ₽ от 500 шт.
16,68 ₽ от 1000 шт.
14,81 ₽ от 3000 шт.
США
На складе 18560 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:14 26.12.2020
Упаковка Cut Tape
44,58 ₽ от 1 шт.
38,34 ₽ от 10 шт.
35,80 ₽ от 25 шт.
26,60 ₽ от 100 шт.
20,77 ₽ от 500 шт.
16,88 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 37344 шт.
Обновлено 09:49 26.12.2020
18,67 ₽ от 1 шт.
18,30 ₽ от 25 шт.
17,93 ₽ от 100 шт.
17,56 ₽ от 500 шт.
17,18 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 104 шт.
Обновлено 11:28 25.12.2020
26,43 ₽ от 1 шт.
22,02 ₽ от 23 шт.
17,62 ₽ от 54 шт.
США
На складе 1204 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:20 12.12.2020
46,36 ₽ от 1 шт.
37,21 ₽ от 25 шт.
32,45 ₽ от 50 шт.
27,59 ₽ от 100 шт.
24,57 ₽ от 250 шт.
Канада
На складе 1584 шт.
Обновлено 15:20 23.12.2020
49,04 ₽ от 1 шт.
Канада
На складе 794 шт.
Обновлено 18:52 30.11.2020
Цена по запросу.
США
На складе 71 шт.
Обновлено 17:02 05.12.2020
Цена по запросу.
США
На складе 6066 шт.
Обновлено 10:49 12.12.2020
Цена по запросу.
США
На складе 170 шт.
Обновлено 19:52 22.12.2020
Цена по запросу.
США
На складе 2895 шт.
Обновлено 18:54 23.12.2020
Цена по запросу.
Азия 7
В наличии до 109265 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 14,10 ₽ до 112,52 ₽
Китай
На складе 109265 шт.
MOQ 320 шт.
Обновлено 08:15 24.12.2020
20,25 ₽ от 320 шт.
17,17 ₽ от 750 шт.
16,66 ₽ от 1155 шт.
16,15 ₽ от 1590 шт.
15,64 ₽ от 2050 шт.
14,10 ₽ от 2730 шт.
Япония
На складе 1500 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 22:02 15.12.2020
103,87 ₽ от 1 шт.
74,19 ₽ от 10 шт.
34,13 ₽ от 50 шт.
26,71 ₽ от 100 шт.
20,77 ₽ от 500 шт.
17,81 ₽ от 1000 шт.
15,58 ₽ от 2000 шт.
14,84 ₽ от 4000 шт.
Япония
На складе 221 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 22:02 15.12.2020
112,52 ₽ от 1 шт.
80,37 ₽ от 10 шт.
36,97 ₽ от 50 шт.
28,93 ₽ от 100 шт.
22,50 ₽ от 500 шт.
19,29 ₽ от 1000 шт.
16,88 ₽ от 2000 шт.
16,07 ₽ от 4000 шт.
Китай
На складе 5075 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:36 25.12.2020
26,21 ₽ от 1 шт.
19,51 ₽ от 10 шт.
18,28 ₽ от 30 шт.
17,04 ₽ от 100 шт.
16,50 ₽ от 500 шт.
16,22 ₽ от 1000 шт.
Китай
На складе 4740 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:44 26.12.2020
42,46 ₽ от 1 шт.
44,17 ₽ от 10 шт.
41,25 ₽ от 25 шт.
30,65 ₽ от 100 шт.
29,11 ₽ от 250 шт.
23,93 ₽ от 500 шт.
18,51 ₽ от 1000 шт.
16,44 ₽ от 3000 шт.
Сингапур
На складе 19898 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:45 26.12.2020
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
58,86 ₽ от 1 шт.
47,19 ₽ от 10 шт.
33,19 ₽ от 100 шт.
27,31 ₽ от 500 шт.
22,19 ₽ от 1000 шт.
Малайзия
На складе 820 шт.
Обновлено 17:18 23.12.2020
Цена по запросу.
Океания 1
В наличии до 450 шт.
MOQ от 100 шт.
Австралия
На складе 450 шт.
Обновлено 03:34 29.11.2020
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor NDS356AP, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
-30.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOT-23
Текущий рейтинг:
-1.10 A
Continuous Drain Current (Ids):
1.10 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество выводов:
3
Полярность:
P-Channel
Рассеяние мощности:
500 mW
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
200 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
-30.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
-30.0 V
  • -30V P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
  • P-Channel 30 V 0.3 Ohm SMT Enhance Mode Field Effect Transistor - SSOT-3
  • MOSFET, P, SOT-23
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность транзистора: P
  • Voltage, Vds Typ:-30V
  • Current, Id Cont:1.1A
  • Resistance, Rds On:0.3ohm
  • Voltage, Vgs Rds on Measurement:-10V
  • Voltage, Vgs th Typ:-2V
  • Стиль корпуса: СОТ-23
  • Тип завершения: SMD
  • Current, Idm Pulse:10A
  • Внешняя глубина: 2,5 мм
  • Внешняя длина / высота: 1,12 мм
  • Количество контактов: 3
  • Power Dissipation:0.5W
  • Power, Pd:0.5W
  • SMD Marking:NDS356AP
  • Температура, ток: 25 ° C
  • Температура при полной мощности: 25 ° C
  • Транзисторы, Кол-во: 1
  • Напряжение, Vds Max: 30 В
  • Voltage, Vgs th Max:-2.5V
  • Ширина, внешняя: 3,05 мм
  • Width, Tape:8mm
  • SuperSOT™-3 P-Channel logic level enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage applications such as notebook computer power management, portable electronics, and other battery powered circuits where fast high-side switching, and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.

Документы по ON Semiconductor NDS356AP, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(7 страниц, 25.10.2008)
Заявление о достижении
(3 страницы, 31.08.2013)
Лист материалов
(3 страницы, 31.08.2013)
Заявление Rohs
(1 страница, 26.04.2012)