Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
NDS9952A

Trans Mosfet N/p-ch 30V 3.7A/2.9A 8-PIN SOIC N T/r

Цена от 21,58 ₽ до 700,20 ₽

Наличие ON Semiconductor NDS9952A на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 10
В наличии до 36281 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 38,21 ₽ до 110,56 ₽
США
На складе 1024 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:23 06.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
38,21 ₽ от 1 шт.
38,21 ₽ от 10 шт.
38,21 ₽ от 100 шт.
38,21 ₽ от 500 шт.
США
На складе 525 шт.
Обновлено 14:13 05.03.2021
90,59 ₽ от 1 шт.
75,49 ₽ от 7 шт.
54,36 ₽ от 24 шт.
42,28 ₽ от 108 шт.
США
На складе 34100 шт.
Обновлено 10:00 06.03.2021
49,13 ₽ от 1 шт.
48,15 ₽ от 25 шт.
47,17 ₽ от 100 шт.
46,19 ₽ от 500 шт.
45,20 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 4950 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:48 05.03.2021
Упаковка Tape & Reel
110,56 ₽ от 1 шт.
98,61 ₽ от 10 шт.
98,61 ₽ от 50 шт.
70,13 ₽ от 100 шт.
48,36 ₽ от 1000 шт.
47,80 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 1024 шт.
MOQ 152 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
56,53 ₽ от 152 шт.
США
На складе 36281 шт.
MOQ 796 шт.
Обновлено 02:41 06.03.2021
85,11 ₽ от 796 шт.
85,01 ₽ от 800 шт.
84,91 ₽ от 1600 шт.
84,80 ₽ от 4000 шт.
84,68 ₽ от 8000 шт.
84,56 ₽ от 40000 шт.
84,44 ₽ от 80000 шт.
США
На складе 1027 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:41 06.03.2021
Цена по запросу.
США
На складе 391 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 1485 шт.
Обновлено 17:25 01.03.2021
Цена по запросу.
США
На складе 308 шт.
Обновлено 23:01 04.03.2021
Цена по запросу.
Европа 1
В наличии до 1415 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 370,21 ₽ до 700,20 ₽
Британия
На складе 1415 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:01 06.03.2021
700,20 ₽ от 1 шт.
544,91 ₽ от 10 шт.
370,21 ₽ от 100 шт.
Азия 4
В наличии до 30000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 21,58 ₽ до 141,75 ₽
Китай
На складе 1280 шт.
MOQ 205 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
31,98 ₽ от 205 шт.
26,33 ₽ от 490 шт.
25,56 ₽ от 755 шт.
24,79 ₽ от 1040 шт.
24,02 ₽ от 1340 шт.
21,58 ₽ от 1790 шт.
Сингапур
На складе 1415 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:46 06.03.2021
141,75 ₽ от 1 шт.
127,38 ₽ от 10 шт.
120,68 ₽ от 25 шт.
90,32 ₽ от 100 шт.
76,62 ₽ от 500 шт.
62,35 ₽ от 1000 шт.
Китай
На складе 30000 шт.
Обновлено 19:17 04.03.2021
Цена по запросу.
Китай
На складе 10600 шт.
Обновлено 03:43 05.03.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor NDS9952A, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
-30.0 V to 30.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SO, SOIC
Текущий рейтинг:
2.90 A
Continuous Drain Current (Ids):
3.70 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество выводов:
8
Полярность:
P-Channel, N-Channel
Рассеяние мощности:
2.00 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
80.0 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
  • Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.9A 8-Pin SOIC N T/R
  • МОП-транзистор
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность транзистора: двойной канал N / P
  • Напряжение истока стока, Vds: 30V
  • Continuous Drain Current, Id:3.7A
  • On Resistance, Rds(on):80mohm
  • Испытательное напряжение Rds (on), Vgs: 10 В
  • Package/Case:8-SOIC
  • Соответствует RoHS: Да
  • MOSFET N & P CH 30V 3.7/-2.9A 8SOIC
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Transistor Polarity:N/P
  • Напряжение, Vds Тип: 30 В
  • Current, Id Cont:3.7A
  • На государственном сопротивлении: 80 МОм
  • Напряжение, ВГС при измерении: 10В
  • Voltage, Vgs th Typ:1.7V
  • Case Style:SOIC
  • Тип завершения: SMD
  • Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C
  • These dual N- and P-channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulses in the avalanche and commutation modes. These devices are particularly suited for low voltage applications such as notebook computer power management and other battery powered circuits where fast switching, low in-line power loss, and resistance to transients are needed.

Документы по ON Semiconductor NDS9952A, инструкции, описания, datasheet.