Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
NDT3055

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 4A, 100mΩ

Цена от 29,63 ₽ до 172,39 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor NDT3055 на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 17
В наличии до 37312 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 29,63 ₽ до 172,39 ₽
США
На складе 4000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 15:55 03.03.2021
29,63 ₽ от 4000 шт.
США
На складе 14311 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:25 03.03.2021
Упаковка Tape & Reel
88,41 ₽ от 1 шт.
73,05 ₽ от 10 шт.
73,05 ₽ от 50 шт.
51,16 ₽ от 100 шт.
37,68 ₽ от 1000 шт.
30,39 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 10151 шт.
MOQ 29 шт.
Обновлено 17:48 03.03.2021
68,61 ₽ от 29 шт.
48,80 ₽ от 100 шт.
46,31 ₽ от 250 шт.
41,55 ₽ от 500 шт.
35,20 ₽ от 1000 шт.
34,53 ₽ от 3000 шт.
32,48 ₽ от 6000 шт.
США
На складе 4000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 17:48 03.03.2021
32,53 ₽ от 4000 шт.
США
На складе 2090 шт.
MOQ 1067 шт.
Обновлено 03:20 04.03.2021
38,25 ₽ от 1067 шт.
37,71 ₽ от 1100 шт.
36,64 ₽ от 2200 шт.
35,83 ₽ от 5400 шт.
34,48 ₽ от 11000 шт.
33,67 ₽ от 54000 шт.
32,87 ₽ от 110000 шт.
США
На складе 2090 шт.
Обновлено 10:05 04.03.2021
36,26 ₽ от 1 шт.
35,54 ₽ от 25 шт.
34,81 ₽ от 100 шт.
34,08 ₽ от 500 шт.
33,35 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 10151 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:55 03.03.2021
Упаковка Cut Tape
85,97 ₽ от 1 шт.
72,07 ₽ от 10 шт.
71,36 ₽ от 25 шт.
50,75 ₽ от 100 шт.
48,17 ₽ от 250 шт.
43,21 ₽ от 500 шт.
36,60 ₽ от 1000 шт.
35,91 ₽ от 3000 шт.
33,78 ₽ от 6000 шт.
США
На складе 36000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 14:18 03.03.2021
Упаковка Tape & Reel
36,97 ₽ от 4000 шт.
35,02 ₽ от 8000 шт.
США
На складе 37312 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:18 03.03.2021
Упаковка Cut Tape
97,25 ₽ от 1 шт.
84,32 ₽ от 10 шт.
80,41 ₽ от 25 шт.
58,37 ₽ от 100 шт.
48,77 ₽ от 500 шт.
41,50 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 3620 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:20 04.03.2021
91,94 ₽ от 1 шт.
75,97 ₽ от 10 шт.
53,21 ₽ от 100 шт.
46,09 ₽ от 500 шт.
США
На складе 20000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 17:24 01.03.2021
55,00 ₽ от 4000 шт.
51,34 ₽ от 20000 шт.
Канада
На складе 2500 шт.
Обновлено 21:59 24.02.2021
57,46 ₽ от 1 шт.
США
На складе 2976 шт.
Обновлено 17:16 03.03.2021
172,39 ₽ от 1 шт.
158,60 ₽ от 4 шт.
137,91 ₽ от 19 шт.
103,43 ₽ от 64 шт.
93,09 ₽ от 168 шт.
86,20 ₽ от 371 шт.
79,30 ₽ от 801 шт.
72,40 ₽ от 1450 шт.
США
На складе 868 шт.
Обновлено 16:40 28.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 307 шт.
Обновлено 17:25 01.03.2021
Цена по запросу.
США
На складе 32013 шт.
Обновлено 20:24 19.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 1110 шт.
Обновлено 16:26 02.03.2021
Цена по запросу.
Азия 4
В наличии до 24000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 31,77 ₽ до 95,54 ₽
Китай
На складе 23941 шт.
MOQ 140 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
47,02 ₽ от 140 шт.
38,89 ₽ от 330 шт.
37,62 ₽ от 510 шт.
36,47 ₽ от 700 шт.
35,33 ₽ от 900 шт.
31,77 ₽ от 1200 шт.
Китай
На складе 10151 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:37 03.03.2021
95,54 ₽ от 1 шт.
79,91 ₽ от 10 шт.
79,18 ₽ от 25 шт.
56,07 ₽ от 100 шт.
54,67 ₽ от 250 шт.
45,83 ₽ от 500 шт.
43,08 ₽ от 1000 шт.
40,27 ₽ от 3000 шт.
34,31 ₽ от 6000 шт.
Китай
На складе 3996 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:27 02.03.2021
71,60 ₽ от 1 шт.
54,45 ₽ от 10 шт.
51,44 ₽ от 30 шт.
48,19 ₽ от 100 шт.
46,80 ₽ от 500 шт.
46,11 ₽ от 1000 шт.
Китай
На складе 24000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 03:39 04.03.2021
51,09 ₽ от 4000 шт.

Технические характеристики ON Semiconductor NDT3055, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
60.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOT-223
Текущий рейтинг:
3.70 A
Continuous Drain Current (Ids):
4.00 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Cut Tape (CT), Reel, Tape & Reel (TR)
Количество выводов:
4
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
3.00 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
84.0 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
60.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
60.0 V
  • N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 4A, 100mΩ
  • Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
  • These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. These devices are particularly suited for low voltage applications such as DC motor control and DC/DC conversion where fast switching, low in-line power loss, and resistance to transients are needed.

Документы по ON Semiconductor NDT3055, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Заявление о достижении
(3 страницы, 31.08.2013)
Лист материалов
(3 страницы, 31.08.2013)