Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
NTHS5441T1

Power MOSFET -20V -5.3A 60 mOhm Single P-Channel ChipFET

Цена от 14,24 ₽ до 63,33 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor NTHS5441T1 на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 4
В наличии до 62812 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена от 14,24 ₽ до 63,33 ₽
США
На складе 62812 шт.
MOQ 2466 шт.
Обновлено 01:59 10.02.2021
16,58 ₽ от 2466 шт.
16,35 ₽ от 2500 шт.
15,88 ₽ от 5000 шт.
15,53 ₽ от 13000 шт.
14,94 ₽ от 25000 шт.
14,59 ₽ от 130000 шт.
14,24 ₽ от 250000 шт.
США
На складе 62812 шт.
Обновлено 10:12 10.02.2021
15,72 ₽ от 1 шт.
15,41 ₽ от 25 шт.
15,08 ₽ от 100 шт.
14,77 ₽ от 500 шт.
14,46 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 2400 шт.
Обновлено 11:22 10.02.2021
63,33 ₽ от 1 шт.
50,66 ₽ от 10 шт.
31,67 ₽ от 46 шт.
19,00 ₽ от 219 шт.
16,47 ₽ от 1213 шт.
США
На складе 2310 шт.
Обновлено 15:54 09.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor NTHS5441T1, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
-20.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-12.0 V to 12.0 V
Текущий рейтинг:
-3.90 A
Continuous Drain Current (Ids):
3.90 A
Lead-Free Status:
Contains Lead
Статус жизненного цикла:
Obsolete
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Reel
Полярность:
P-Channel
Рассеяние мощности:
1.30 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
46.0 mΩ
Время нарастания:
22.0 ns
RoHS:
Non-Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
20.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
-20.0 V
  • Power MOSFET -20V -5.3A 60 mOhm Single P-Channel ChipFET
  • MOSFETs- Power and Small Signal -20V -5.3A P-Channel No-Cancel/No-Return
  • МОП-транзистор
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Transistor Polarity:P Channel
  • Continuous Drain Current, Id:-5.3A
  • On Resistance, Rds(on):60mohm
  • Package/Case:1206A
  • Power Dissipation, Pd:1.3W
  • Drain-Source Breakdown Voltage:-20V
  • Соответствует RoHS: Нет

Документы по ON Semiconductor NTHS5441T1, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(6 страниц, 19.07.2005)
Заявление о достижении
(8 страниц, 14.01.2015)
Заявление Rohs