Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
NTMD4N03R2G

NTMD4N03R2G Dual N-channel MOSFET Transistor; 4 A; 30 V; 8-Pin SOIC

Цена от 17,89 ₽ до 409,03 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor NTMD4N03R2G на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 17
В наличии до 99341 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 17,89 ₽ до 89,34 ₽
США
На складе 5000 шт.
Обновлено 14:13 05.03.2021
48,78 ₽ от 1 шт.
40,65 ₽ от 13 шт.
32,52 ₽ от 58 шт.
22,76 ₽ от 215 шт.
20,33 ₽ от 1021 шт.
17,89 ₽ от 4572 шт.
США
На складе 6120 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:48 05.03.2021
Упаковка Tape & Reel
68,12 ₽ от 1 шт.
53,94 ₽ от 10 шт.
53,94 ₽ от 50 шт.
38,08 ₽ от 100 шт.
25,46 ₽ от 1000 шт.
20,44 ₽ от 10000 шт.
Канада
На складе 2500 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 01:49 06.03.2021
Упаковка Tape & Reel
25,73 ₽ от 2500 шт.
21,27 ₽ от 5000 шт.
21,04 ₽ от 7500 шт.
20,81 ₽ от 12500 шт.
20,47 ₽ от 25000 шт.
США
На складе 99341 шт.
Обновлено 10:00 06.03.2021
23,43 ₽ от 1 шт.
22,96 ₽ от 25 шт.
22,49 ₽ от 100 шт.
22,02 ₽ от 500 шт.
21,56 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 1031 шт.
MOQ 39 шт.
Обновлено 17:47 06.03.2021
50,77 ₽ от 39 шт.
36,21 ₽ от 100 шт.
35,85 ₽ от 250 шт.
28,95 ₽ от 500 шт.
22,64 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 1031 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:20 05.03.2021
Упаковка Cut Tape
54,96 ₽ от 1 шт.
53,40 ₽ от 10 шт.
52,80 ₽ от 25 шт.
37,65 ₽ от 100 шт.
37,28 ₽ от 250 шт.
30,10 ₽ от 500 шт.
23,54 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 25000 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 14:47 05.03.2021
Упаковка Tape & Reel
25,04 ₽ от 2500 шт.
23,77 ₽ от 5000 шт.
США
На складе 5000 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 20:05 05.03.2021
26,55 ₽ от 2500 шт.
24,77 ₽ от 5000 шт.
США
На складе 26237 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:47 05.03.2021
Упаковка Cut Tape
74,82 ₽ от 1 шт.
63,54 ₽ от 10 шт.
59,41 ₽ от 25 шт.
44,15 ₽ от 100 шт.
34,46 ₽ от 500 шт.
28,01 ₽ от 1000 шт.
Канада
На складе 2500 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:49 06.03.2021
Упаковка Cut Tape
68,61 ₽ от 1 шт.
42,88 ₽ от 50 шт.
40,03 ₽ от 100 шт.
35,45 ₽ от 250 шт.
33,16 ₽ от 500 шт.
США
На складе 2483 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 03:23 06.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
88,62 ₽ от 5 шт.
70,15 ₽ от 10 шт.
49,48 ₽ от 100 шт.
Канада
На складе 4 шт.
Обновлено 21:59 24.02.2021
89,34 ₽ от 1 шт.
США
На складе 85 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
Канада
На складе 66 шт.
Обновлено 16:58 28.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 1022 шт.
Обновлено 17:25 01.03.2021
Цена по запросу.
США
На складе 140 шт.
Обновлено 19:22 22.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 17325 шт.
Обновлено 23:01 04.03.2021
Цена по запросу.
Европа 4
В наличии до 20000 шт.
MOQ от 5 шт.
Цена от 19,92 ₽ до 409,03 ₽
Европейский союз
На складе 20000 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 07:20 06.03.2021
24,73 ₽ от 2500 шт.
23,36 ₽ от 5000 шт.
21,98 ₽ от 10000 шт.
20,61 ₽ от 15000 шт.
19,92 ₽ от 20000 шт.
Британия
На складе 1190 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 20:41 06.03.2021
67,59 ₽ от 10 шт.
Британия
На складе 2483 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 03:01 06.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
409,03 ₽ от 5 шт.
282,85 ₽ от 10 шт.
201,05 ₽ от 100 шт.
133,11 ₽ от 500 шт.
113,70 ₽ от 2500 шт.
106,76 ₽ от 7500 шт.
106,76 ₽ от 20000 шт.
105,38 ₽ от 37500 шт.
Германия
На складе 93 шт.
Обновлено 15:30 05.03.2021
Цена по запросу.
Азия 5
В наличии до 19600 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 22,51 ₽ до 138,73 ₽
Япония
На складе 682 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 22:35 03.03.2021
138,73 ₽ от 1 шт.
77,07 ₽ от 10 шт.
40,08 ₽ от 50 шт.
29,29 ₽ от 100 шт.
25,43 ₽ от 500 шт.
23,58 ₽ от 1000 шт.
22,97 ₽ от 2000 шт.
22,51 ₽ от 4000 шт.
Китай
На складе 1031 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:38 06.03.2021
58,87 ₽ от 1 шт.
57,60 ₽ от 10 шт.
56,58 ₽ от 25 шт.
38,77 ₽ от 100 шт.
38,15 ₽ от 250 шт.
32,69 ₽ от 500 шт.
23,99 ₽ от 1000 шт.
Сингапур
На складе 2483 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 02:46 06.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
69,15 ₽ от 5 шт.
48,85 ₽ от 100 шт.
40,03 ₽ от 500 шт.
32,56 ₽ от 1000 шт.
Гонконг
На складе 14450 шт.
Обновлено 13:00 10.02.2021
Цена по запросу.
Израиль
На складе 19600 шт.
Обновлено 10:34 21.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor NTMD4N03R2G, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
30.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Текущий рейтинг:
4.00 A
Continuous Drain Current (Ids):
4.00 mA, 4.00 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
8
Полярность:
N-Channel, Dual N-Channel
Рассеяние мощности:
2.00 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
48.0 mΩ
Время нарастания:
14.0 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
30.0 V
  • NTMD4N03R2G Dual N-channel MOSFET Transistor
  • 4 А
  • 30 В
  • 8-контактный SOIC
  • N-Channel 30 V 48 mOhm 2 W Surface Mount Power MOSFET - SOIC-8
  • Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 4A 8-Pin SOIC T/R
  • Power MOSFET 30V 4A 60 mOhm Dual N-Channel S0-8
  • N Channel Mosfet, 30V, 4A, Soic, Full Reel
  • Полярность транзистора: двойной канал N
  • Идентификатор постоянного тока утечки: 4A
  • Напряжение источника стока Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(On):0.048Ohm
  • Rds(On) Test Voltage Vgs:10V
  • Threshold Voltage Vgs:1.9V Rohs Compliant: Yes

Документы по ON Semiconductor NTMD4N03R2G, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(8 страниц, 09.02.2012)
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Заявление о достижении
(8 страниц, 14.01.2015)