ON Semiconductor
NTMD6N03R2G
Двойной N-канальный полевой МОП-транзистор, 30 В, 32 мОм, 2 Вт, для поверхностного монтажа - SOIC-8
Цена от 18,78 ₽ до 549,89 ₽
Наличие ON Semiconductor NTMD6N03R2G на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 225868 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 32,43 ₽ до 104,41 ₽
На складе 1997 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:38 22.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 225868 шт.
Обновлено 10:06 23.02.2021
На складе 32500 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 02:53 23.02.2021
На складе 7500 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
На складе 341 шт.
MOQ 20 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
На складе 40000 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 02:48 20.02.2021
На складе 341 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:26 23.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 1414 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:10 23.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 472 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 02:53 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (5 шт.) На складе 694 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
На складе 52570 шт.
Обновлено 16:14 17.02.2021
Цена по запросу.
На складе 35013 шт.
Обновлено 20:24 19.02.2021
Цена по запросу.
На складе 3850 шт.
Обновлено 17:57 22.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 1580 шт.
MOQ от 5 шт.
Цена от 165,53 ₽ до 549,89 ₽
На складе 472 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 16:53 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 1580 шт.
Обновлено 13:02 09.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 13089 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 18,78 ₽ до 122,75 ₽
На складе 13089 шт.
MOQ 235 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
На складе 341 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:42 23.02.2021
На складе 472 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) Технические характеристики ON Semiconductor NTMD6N03R2G, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
30.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Текущий рейтинг:
6.00 A
Continuous Drain Current (Ids):
6.00 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
8
Полярность:
N-Channel, Dual N-Channel
Рассеяние мощности:
2.00 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
32.0 mΩ
Время нарастания:
22.0 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
30.0 V
- Двойной N-канальный полевой МОП-транзистор, 30 В, 32 мОм, 2 Вт, для поверхностного монтажа - SOIC-8
- Массив транзисторных полевых МОП-транзисторов Dual N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T / R
- Полярность транзистора: n канал
- Напряжение источника стока Vds: 30 В
- Идентификатор постоянного тока утечки: 6А
- На сопротивлении Rds (On): 0,024 Ом
- Transistor Mounting:surface Mount
- Rds(On) Test Voltage Vgs:10V
- Пороговое напряжение Vgs: 1,8 В
- Ассортимент продукции: -Совместимость с RoS: Да