ON Semiconductor
NTZD3154NT1G
NTZD3154N: Small Signal MOSFET 20V 540mA 550 mOhm Dual N-Channel SOT-563 with ESD Protection
Цена от 4,74 ₽ до 266,53 ₽
Наличие ON Semiconductor NTZD3154NT1G на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 244000 шт.
MOQ от 5 шт.
Цена от 5,40 ₽ до 266,53 ₽
На складе 3880 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
На складе 76728 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 16:53 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 100 шт.
Обновлено 00:38 23.02.2021
Цена по запросу.
На складе 2163 шт.
Обновлено 07:20 22.02.2021
Цена по запросу.
На складе 244000 шт.
Обновлено 13:02 09.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 503920 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 4,74 ₽ до 44,43 ₽
На складе 1530 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:53 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 100000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 17:33 22.02.2021
На складе 3995 шт.
Обновлено 10:06 23.02.2021
На складе 4000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
На складе 8000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 15:26 23.02.2021
На складе 80000 шт.
Обновлено 11:48 04.02.2021
На складе 92000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 1790 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:44 23.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 92000 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 3169 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:48 20.02.2021
На складе 503920 шт.
Обновлено 16:14 17.02.2021
Цена по запросу.
На складе 571 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
На складе 514 шт.
Обновлено 21:48 15.02.2021
Цена по запросу.
На складе 3253 шт.
Обновлено 20:24 19.02.2021
Цена по запросу.
На складе 172480 шт.
Обновлено 17:57 22.02.2021
Цена по запросу.
На складе 182952 шт.
Обновлено 18:55 17.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 1111135 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 7,28 ₽ до 52,77 ₽
На складе 1111135 шт.
MOQ 590 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
На складе 4790 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 23:35 22.02.2021
На складе 1530 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 76728 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) Технические характеристики ON Semiconductor NTZD3154NT1G, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
20.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-6.00 V to 6.00 V
Тип корпуса / Кейс:
SOT-666, SOT-563
Текущий рейтинг:
540 mA
Continuous Drain Current (Ids):
540 mA
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
6
Полярность:
N-Channel, Dual N-Channel
Рассеяние мощности:
250 mW (max)
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
700 mΩ
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
20.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
20.0 V
- NTZD3154N: Small Signal MOSFET 20V 540mA 550 mOhm Dual N-Channel SOT-563 with ESD Protection
- Dual N-Channel Small Signal MOSFET 20V, 540mA, 550mΩ
- Dual N-Channel 20 V 0.9 Ohm 2.5 nC 250 mW Silicon SMT Mosfet - SOT-563
- Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 540mA 6-Pin SOT-563 T/R
- Mosfet, Dual N Channel, 20V, 0.54A, Sot-563-6
- Полярность транзистора: n канал
- Напряжение источника стока Vds: 20 В
- Continuous Drain Current Id:540Ma
- On Resistance Rds(On):0.4Ohm
- Transistor Mounting:surface Mount
- Threshold Voltage Vgs:1V Rohs Compliant: Yes
Документы по ON Semiconductor NTZD3154NT1G, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на ON Semiconductor NTZD3154NT1G, сравнение характеристик.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -6.00 V to 6.00 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-666, SOT-563.
Текущий рейтинг 540 mA.
Gate Charge 2.50 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 540 mA.
Входная емкость 175 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Полярность N-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 250 mW (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 700 mΩ.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 20.0 V.