ON Semiconductor
QSD123
Phototransistor IR Chip Plastic Silicon NPN Transistor 880nm 2-Pin T-1 3/4 Bulk
Цена от 15,28 ₽ до 392,93 ₽
Наличие ON Semiconductor QSD123 на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 393 шт.
MOQ 2 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
На складе 1725 шт.
MOQ 250 шт.
Обновлено 07:17 02.03.2021
На складе 1008 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 03:21 02.03.2021
На складе 621 шт.
MOQ 2296 шт.
Обновлено 03:45 02.03.2021
На складе 621 шт.
Обновлено 10:12 02.03.2021
На складе 50 шт.
MOQ 48 шт.
Обновлено 17:41 01.03.2021
На складе 3067 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:45 01.03.2021
Упаковка Bulk На складе 50 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:09 01.03.2021
На складе 3119 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:31 01.03.2021
Упаковка Bulk На складе 50 шт.
MOQ 250 шт.
Обновлено 03:54 02.03.2021
На складе 11000 шт.
MOQ 250 шт.
Обновлено 17:41 01.03.2021
На складе 1734 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:45 02.03.2021
На складе 1734 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:54 02.03.2021
На складе 1008 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 03:54 02.03.2021
На складе 2813 шт.
Обновлено 20:24 19.02.2021
Цена по запросу.
На складе 346 шт.
Обновлено 22:47 24.02.2021
Цена по запросу.
На складе 50 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:45 01.03.2021
На складе 1734 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:53 01.03.2021
На складе 1008 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:53 01.03.2021
На складе 994 шт.
Обновлено 17:16 27.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики ON Semiconductor QSD123, атрибуты и параметры.
Напряжение пробоя:
30.0 V
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-40.0 °C (min)
Operating Voltage:
5.00 V
Выходное напряжение:
30.0 V (max)
Упаковка:
Bulk
Количество выводов:
2
Полярность:
NPN, N-Channel
Потребляемая мощность:
100 mW
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
7.00 µs
RoHS:
Compliant
Supply Voltage (DC):
5.00 V
Угол обзора:
12 °
Номинальное напряжение (постоянный ток):
30.0 V
Длина волны:
880 nm
- Phototransistor IR Chip Plastic Silicon NPN Transistor 880nm 2-Pin T-1 3/4 Bulk
- QSD123 Series 30 V 880 nm Plastic Silicon Infrared Phototransistor - T-1 3/4
- The QSD122, QSD123, QSD124 is a silicon phototransistor encapsulated in an infrared transparent, black T-1 3/4 package.
- Infrared Emitter/Sensor Assemblies 4mA PHOTO TRANS
- PHOTO TRANSISTOR, NPN, 880NM, 5MM
- IC PHOTOTRANS IR 880NM BLACK 5MM
- SENSOR PHOTO 880NM TOP VIEW RAD
- OPTOSWITCH
- Полярность транзистора: NPN
- Wav
- OPTOSWITCH
- Полярность транзистора: NPN
- Wavelength Typ:880nm
- Power Consumption:100mW
- Viewing Angle:12°
- Количество контактов: 2
- Input Current Max:100µA
- Совместимость с ведущим процессом: Да
- Количество каналов: 1
- Тип выхода оптопары: транзистор
Документы по ON Semiconductor QSD123, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на ON Semiconductor QSD123, сравнение характеристик.
Напряжение пробоя 30.0 V.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Operating Voltage 5.00 V.
Выходное напряжение 30.0 V (max).
Упаковка Bulk.
Количество выводов 2.
Полярность NPN, N-Channel.
Потребляемая мощность 100 mW.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 7.00 µs.
RoHS Compliant.
Угол обзора 12 °.
Длина волны 880 nm.