Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
SI3456DV

MOSFETs 30V/20V NCh MOSFET

Цена от 17,66 ₽ до 52,19 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor SI3456DV на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 4
В наличии до 38813 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена от 17,66 ₽ до 52,19 ₽
США
На складе 38813 шт.
MOQ 2004 шт.
Обновлено 02:47 06.02.2021
20,55 ₽ от 2004 шт.
20,26 ₽ от 2100 шт.
19,69 ₽ от 4100 шт.
19,25 ₽ от 11000 шт.
18,53 ₽ от 21000 шт.
18,09 ₽ от 110000 шт.
17,66 ₽ от 210000 шт.
США
На складе 38813 шт.
Обновлено 10:08 08.02.2021
19,49 ₽ от 1 шт.
19,09 ₽ от 25 шт.
18,71 ₽ от 100 шт.
18,31 ₽ от 500 шт.
17,93 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 936 шт.
Обновлено 11:17 08.02.2021
52,19 ₽ от 1 шт.
43,49 ₽ от 12 шт.
34,80 ₽ от 54 шт.
24,36 ₽ от 201 шт.
США
На складе 1913 шт.
Обновлено 20:05 05.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor SI3456DV, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
30.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SSOT
Continuous Drain Current (Ids):
5.10 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Not Listed by Manufacturer
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Reel
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
1.60 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
33.0 mΩ
RoHS:
Compliant
  • MOSFETs 30V/20V NCh MOSFET
  • N-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор с малым сигналом
  • MOSFET 30V 5.1A 2W

Документы по ON Semiconductor SI3456DV, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(5 страниц, 18.06.2002)
Заявление о достижении
(2 страницы, 20.12.2012)
Заявление Rohs
(1 страница, 26.04.2012)

Товары похожие на ON Semiconductor SI3456DV, сравнение характеристик.

Vishay SI3456DV-T1-E3
Цена от 15,95 ₽ до 63,79 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TSOP.
Continuous Drain Current (Ids) 5.10 A.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 1.60 W.
RoHS Compliant.