Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БЮТ

ON Semiconductor
TIP111G

Medium Power NPN Darlington Bipolar Power Transistor NPN , 2.0 A, 80 V

Цена от 25,15 ₽ до 94,96 ₽

Наличие ON Semiconductor TIP111G на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 3
В наличии до 3500 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 31,16 ₽ до 94,96 ₽
Европейский союз
На складе 3500 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 07:54 25.02.2021
37,83 ₽ от 50 шт.
35,61 ₽ от 100 шт.
33,38 ₽ от 200 шт.
32,27 ₽ от 300 шт.
31,16 ₽ от 400 шт.
Польша
На складе 275 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
94,96 ₽ от 1 шт.
54,92 ₽ от 3 шт.
44,62 ₽ от 10 шт.
40,04 ₽ от 50 шт.
36,61 ₽ от 250 шт.
Британия
На складе 730 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 00:55 26.02.2021
72,96 ₽ от 10 шт.
Америка 8
В наличии до 1950 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 25,15 ₽ до 83,15 ₽
США
На складе 1950 шт.
MOQ 26 шт.
Обновлено 17:47 25.02.2021
53,29 ₽ от 26 шт.
39,89 ₽ от 100 шт.
31,22 ₽ от 500 шт.
28,67 ₽ от 1000 шт.
25,73 ₽ от 2500 шт.
25,15 ₽ от 5000 шт.
США
На складе 1950 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:10 25.02.2021
63,91 ₽ от 1 шт.
55,42 ₽ от 10 шт.
41,48 ₽ от 100 шт.
32,47 ₽ от 500 шт.
29,82 ₽ от 1000 шт.
26,76 ₽ от 2500 шт.
26,16 ₽ от 5000 шт.
США
На складе 447 шт.
Обновлено 09:58 25.02.2021
30,59 ₽ от 1 шт.
29,98 ₽ от 25 шт.
29,37 ₽ от 100 шт.
28,75 ₽ от 500 шт.
28,14 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 733 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:18 25.02.2021
Упаковка Tube
83,15 ₽ от 1 шт.
71,73 ₽ от 10 шт.
68,38 ₽ от 25 шт.
49,63 ₽ от 100 шт.
41,47 ₽ от 500 шт.
35,29 ₽ от 1000 шт.
31,43 ₽ от 2500 шт.
29,78 ₽ от 5000 шт.
29,13 ₽ от 9000 шт.
США
На складе 1114 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:35 24.02.2021
Упаковка Tube
77,60 ₽ от 1 шт.
64,52 ₽ от 10 шт.
64,52 ₽ от 50 шт.
45,12 ₽ от 100 шт.
33,26 ₽ от 1000 шт.
29,82 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 1400 шт.
MOQ 600 шт.
Обновлено 18:03 25.02.2021
43,47 ₽ от 600 шт.
40,45 ₽ от 1400 шт.
США
На складе 250 шт.
Обновлено 20:57 25.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 936 шт.
Обновлено 17:57 22.02.2021
Цена по запросу.
Азия 2
В наличии до 1950 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 29,04 ₽ до 70,95 ₽
Китай
На складе 1950 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:46 25.02.2021
70,95 ₽ от 1 шт.
61,53 ₽ от 10 шт.
47,27 ₽ от 100 шт.
40,88 ₽ от 500 шт.
34,14 ₽ от 1000 шт.
30,26 ₽ от 2500 шт.
29,04 ₽ от 5000 шт.
Малайзия
На складе 448 шт.
Обновлено 00:57 23.02.2021
Цена по запросу.
Океания 1
В наличии до 86 шт.
MOQ от 100 шт.
Австралия
На складе 86 шт.
Обновлено 00:56 23.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor TIP111G, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
80.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-220-3
Текущий рейтинг:
2.00 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
NPN
Рассеяние мощности:
65.0 W
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
80.0 V
  • Medium Power NPN Darlington Bipolar Power Transistor NPN , 2.0 A, 80 V
  • ON Semi TIP111G NPN Darlington Transistor
  • 2 A 80 V HFE:500
  • 3-Pin TO-220
  • Trans Darlington NPN 80V 2A 2000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
  • BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V TO-220
  • TRANSISTOR ARRAY, DUAL NPN, 80V, TO220AB

Документы по ON Semiconductor TIP111G, инструкции, описания, datasheet.

Товары похожие на ON Semiconductor TIP111G, сравнение характеристик.