Компоненты » Интегральные схемы (ИС) » Линейные ИС » Усилители - операционные усилители, буферные, измерительные приборы
STMicroelectronics
LM358D
Amplifier; Dual Operational; +/- 16 or 32V; 0.7 mA (Typ.) Supply; +32V; SO-8; 0
Цена от 7,26 ₽ до 310,79 ₽
Наличие STMicroelectronics LM358D на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
Технические характеристики STMicroelectronics LM358D, атрибуты и параметры.
Пропускная способность:
1.10 MHz
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Продукт увеличения пропускной способности:
1.10 MHz
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Количество каналов:
2
Количество контуров:
2
Рабочая Температура:
70.0 °C (max)
Упаковка:
Tube, Rail
Количество выводов:
8
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Скорость нарастания:
600 mV/μs
Supply Current:
700 µA
Supply Voltage (DC):
32.0 V (max)
- Amplifier
- Dual Operational
- +/- 16 or 32V
- 0.7 mA (Typ.) Supply
- +32V
- SO-8
- 0
- LM358 Series 30 V 1.1 MHz Low Power Dual Operational Amplifier SOIC-8
- Op Amp Dual Low Power Amplifier ±15V/30V 8-Pin SO N Tube
Документы по STMicroelectronics LM358D, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на STMicroelectronics LM358D, сравнение характеристик.
Пропускная способность 1.10 MHz.
Тип корпуса / Кейс PDIP, SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.10 MHz.
Input Offset Drift 10.8 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 2.90 V/μs.
Supply Current 280 µA (max).
Пропускная способность 1.10 MHz.
Тип корпуса / Кейс PDIP, SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.10 MHz.
Input Offset Drift 10.8 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура 0.00 °C to 70.0 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 3.90 V/μs.
Supply Current 280 µA (max).
Supply Voltage (DC) 15.0 V.
Пропускная способность 1.10 MHz.
Тип корпуса / Кейс PDIP, SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.10 MHz.
Input Offset Drift 10.8 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 2.90 V/μs.
Supply Current 280 µA (max).
Supply Voltage (DC) 15.0 V (max).
Пропускная способность 1.10 MHz.
Тип корпуса / Кейс PDIP, SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.10 MHz.
Входной ток смещения 200 pA.
Input Offset Drift 10.8 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура 70.0 °C (max).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 5.10 V/μs.
Supply Current 280 µA (max).
Supply Voltage (DC) 15.0 V.
Пропускная способность 1.10 MHz.
Тип корпуса / Кейс PDIP, SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.10 MHz.
Input Offset Drift 10.8 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура 70.0 °C (max).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 2.90 V/μs.
Supply Current 280 µA (max).
Пропускная способность 1.10 MHz.
Тип корпуса / Кейс PDIP, SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.10 MHz.
Input Offset Drift 10.8 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура 70.0 °C (max).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 2.90 V/μs.
Supply Current 280 µA (max).
Пропускная способность 1.10 MHz.
Тип корпуса / Кейс PDIP, SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.10 MHz.
Input Offset Drift 10.8 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 2.90 V/μs.
Supply Current 280 µA (max).
Пропускная способность 1.10 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP, SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.10 MHz.
Входной ток смещения 600 nA (max).
Input Offset Drift 0.00 V/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 830 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 15.0 V.
Пропускная способность 1.10 MHz.
Тип корпуса / Кейс PDIP, SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.10 MHz.
Input Offset Drift 10.8 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 5.10 V/μs.
Supply Current 280 µA (max).
Supply Voltage (DC) 15.0 V.
Пропускная способность 1.10 MHz.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Продукт увеличения пропускной способности 1.10 MHz.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура 70.0 °C (max).
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 600 mV/μs.
Supply Current 700 µA.
Supply Voltage (DC) 5.00 V.