STMicroelectronics
STB60NF06LT4
N-channel 60 V, 0.012 Ohm typ., 60 A STripFET II Power MOSFET in a D2PAK package
Цена от 68,95 ₽ до 249,07 ₽
Наличие STMicroelectronics STB60NF06LT4 на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 7000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 68,95 ₽ до 169,87 ₽
На складе 7000 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 07:49 23.02.2021
На складе 442 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
На складе 700 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 05:45 23.02.2021
На складе 100 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 05:45 23.02.2021
На складе 1700 шт.
Обновлено 07:20 22.02.2021
Цена по запросу.
На складе 920 шт.
Обновлено 15:03 22.02.2021
Цена по запросу.
На складе 120 шт.
Обновлено 21:49 15.02.2021
Цена по запросу.
На складе 2000 шт.
Обновлено 13:02 09.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 2000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 75,20 ₽ до 249,07 ₽
На складе 83 шт.
MOQ 35 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
На складе 2000 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 17:33 22.02.2021
На складе 1984 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 1000 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 71 шт.
MOQ 13 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
На складе 71 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:26 23.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 159 шт.
Обновлено 11:25 22.02.2021
На складе 182 шт.
Обновлено 17:57 22.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 7038 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 69,33 ₽ до 160,19 ₽
На складе 83 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 11:18 23.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 7038 шт.
MOQ 60 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
На складе 71 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:42 23.02.2021
На складе 442 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 08:52 23.02.2021
Технические характеристики STMicroelectronics STB60NF06LT4, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
60.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-15.0 V to 15.0 V
Текущий рейтинг:
60.0 A
Continuous Drain Current (Ids):
60.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Not Recommended for New Designs
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-65.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
110 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
14.0 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
60.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
60.0 V
- N-channel 60 V, 0.012 Ohm typ., 60 A STripFET II Power MOSFET in a D2PAK package
- STB60NF06LT Series 60 V 14 mOhm 60 A N-Channel STripFET II Power Mosfet-D2PAK-3
- Trans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
- Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB