STMicroelectronics
STD4NS25T4
N-channel 250V 0.9 Ohm 4A Dpak Mesh Overlay Mosfet
Наличие STMicroelectronics STD4NS25T4 на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 2500 шт.
MOQ от 100 шт.
На складе 2500 шт.
Обновлено 08:28 08.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики STMicroelectronics STD4NS25T4, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
250 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-252
Текущий рейтинг:
4.00 A
Continuous Drain Current (Ids):
4.00 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Not Recommended for New Designs
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
50.0 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
900 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
250 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
250 V
- N-CHANNEL 250V 0.9 OHM 4A DPAK MESH OVERLAY MOSFET
- Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
- МОП-транзистор, N, D-PAK
- Transistor Polarity:N Channel
- Идентификатор постоянного тока утечки: 4A
- Напряжение источника стока Vds: 250 В
- On Resistance Rds(on):900mohm
- Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
- Пороговое напряжение Vgs Typ: 3 В
- Power Dissipation Pd:50W
- Тип корпуса транзистора: D-PAK
- Количество контактов: 3
- SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
- Альтернативный тип корпуса: D-PAK
- Current Id Max:4A
- Внешняя глубина: 10,5 мм
- Внешняя длина / высота: 2,55 мм
- Внешняя ширина: 6,8 мм
- Количество транзисторов: 1
- Package / Case:DPAK
- Power Dissipation Pd:50W
- Power Dissipation Pd:50W
- Pulse Current Idm:16A
- Тип завершения: SMD
- Напряжение Vds Typ: 250 В
- Максимальное напряжение Vgs: 20 В
- Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В
