STMicroelectronics
STGF10NC60KD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Цена от 56,18 ₽ до 1 010,47 ₽
Наличие STMicroelectronics STGF10NC60KD на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 100 шт.
MOQ 3 шт.
Обновлено 11:05 16.02.2021
На складе 3450 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 07:24 16.02.2021
На складе 370 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 16:01 15.02.2021
На складе 704 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:37 16.02.2021
На складе 2200 шт.
Обновлено 12:07 15.02.2021
Цена по запросу.
На складе 150 шт.
Обновлено 21:49 15.02.2021
Цена по запросу.
На складе 2863 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 18:55 15.02.2021
Упаковка Tube На складе 459 шт.
MOQ 11 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
На складе 459 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:18 16.02.2021
На складе 1003 шт.
MOQ 17 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
На складе 4300 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 18:27 16.02.2021
На складе 441 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 04:01 16.02.2021
На складе 8248 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:16 16.02.2021
Упаковка Tube На складе 16 шт.
Обновлено 11:25 16.02.2021
На складе 400 шт.
Обновлено 22:46 09.02.2021
Цена по запросу.
На складе 39 шт.
Обновлено 00:37 16.02.2021
Цена по запросу.
На складе 459 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:16 02.02.2021
На складе 441 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:50 16.02.2021
На складе 100 шт.
MOQ 100 шт.
Обновлено 12:21 16.02.2021
Технические характеристики STMicroelectronics STGF10NC60KD, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Текущий рейтинг:
9.00 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
25.0 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
6.00 ns
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
600 V
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
- STGF10NC60KD Series 600 V 9 A N-Channel Power Mesh IGBT - TO-220FP
- Insulated Gate Bipolar Transistor, 9A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
- 6 A, 600 V short-circuit rugged IGBT in a TO-220FP package
Документы по STMicroelectronics STGF10NC60KD, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на STMicroelectronics STGF10NC60KD, сравнение характеристик.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 10.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 20.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 25.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 460 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 600 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Напряжение изоляции 2.50 kV.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -20.0 °C to 100 °C.
Выходной ток 10.0 A.
Упаковка Tube.
Количество выводов 27.
Рассеяние мощности 25.0 W.
RoHS Compliant.