STMicroelectronics
STGF6NC60HD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Цена от 107,71 ₽ до 703,84 ₽
Наличие STMicroelectronics STGF6NC60HD на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 360 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 16:01 15.02.2021
На складе 40 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 16:01 15.02.2021
На складе 10 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:37 16.02.2021
На складе 1500 шт.
Обновлено 12:07 15.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики STMicroelectronics STGF6NC60HD, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Текущий рейтинг:
6.00 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
20.0 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
5.00 ns
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
600 V
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
- STGF6NC60HD Series N-Channel 600 V 3 A Very Fast PowerMESH IGBT - TO-220FP
- Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
- Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, St Microelectronics has designed an advaced family of IGBTs, the PowerMESH(TM) IGBTs, with outstanding performances. The suffix "H" identifies a family optimized for high frequency application in order to achieve very high switching performances (reduced tfall) mantaining a low voltage drop.
