Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

STMicroelectronics
STGP12NB60HD

Igbt 600V 30A 100W TO220

Технические характеристики STMicroelectronics STGP12NB60HD, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-220
Текущий рейтинг:
18.0 A
Continuous Drain Current (Ids):
18.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Not Listed by Manufacturer
Mounting Style:
Through Hole
Упаковка:
Tube
Рассеяние мощности:
100 W
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
600 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
600 V
  • IGBT 600V 30A 100W TO220
  • IGBTs Insulated Gate Bipolar Transistor N-Ch 600 Volt 18 Amp

Товары похожие на STMicroelectronics STGP12NB60HD, сравнение характеристик.

STMicroelectronics STGP12NB60K
Цена от до
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 18.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 18.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Through Hole.
Упаковка Tube.
Рассеяние мощности 125 W.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 600 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGP12NB60KD
Цена от до
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 18.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 18.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Through Hole.
Упаковка Tube.
Рассеяние мощности 125 W.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 600 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.