STMicroelectronics
STGW39NC60VD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250000mW 3-Pin (3 + Tab) TO-247 Tube
Цена от 164,49 ₽ до 3 275,32 ₽
Наличие STMicroelectronics STGW39NC60VD на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 307 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
На складе 12 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:05 16.02.2021
На складе 78 шт.
MOQ 2 шт.
Обновлено 16:01 15.02.2021
На складе 20 шт.
MOQ 2 шт.
Обновлено 16:01 15.02.2021
На складе 476 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:37 16.02.2021
На складе 600 шт.
Обновлено 12:07 15.02.2021
Цена по запросу.
На складе 90 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
На складе 90 шт.
MOQ 90 шт.
Обновлено 16:18 16.02.2021
На складе 1551 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 18:55 15.02.2021
Упаковка Tube На складе 30 шт.
Обновлено 11:25 16.02.2021
На складе 1339 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:16 16.02.2021
Упаковка Tube На складе 381 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 04:01 16.02.2021
На складе 53400 шт.
Обновлено 17:03 12.02.2021
Цена по запросу.
На складе 92 шт.
Обновлено 00:37 16.02.2021
Цена по запросу.
На складе 60984 шт.
Обновлено 18:59 16.02.2021
Цена по запросу.
На складе 43470 шт.
MOQ 600 шт.
Обновлено 12:14 16.02.2021
На складе 12938 шт.
MOQ 14 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
На складе 381 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:50 16.02.2021
На складе 2245 шт.
Обновлено 19:58 15.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики STMicroelectronics STGW39NC60VD, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-247
Текущий рейтинг:
40.0 A
Gate Charge:
126 nC
Continuous Drain Current (Ids):
40.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
250 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
13.0 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
600 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
600 V
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250000mW 3-Pin (3 + Tab) TO-247 Tube
- STGW Series Ultra Fast Free Wheeling Diode Through Hole IGBT - TO-247-3
- IGBT, TO-247
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current:80A
- Collector Emitter Voltage Vces:2.5V
- Power Dissipation Pd:250W
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V
- Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C
- Transistor Case Style:TO-247
- Количество контактов: 3
- SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
- Current Ic Continuous a Max:70A
- Package / Case:TO-247
- Power Dissipation Max:250W
- Power Dissipation Pd:250W
- Power Dissipation Pd:250W
- Pulsed Current Icm:220A
- Rise Time:13ns
- Тип прекращения: сквозное отверстие
- Transistor Polarity:N Channel
- Voltage Vces:600V