STMicroelectronics
STP100NF04
N-channel 40 V, 0.0043 Ohm typ., 120 A, STripFET(TM) II Power MOSFET in TO-220 package
Цена от 79,20 ₽ до 1 873,18 ₽
Наличие STMicroelectronics STP100NF04 на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
Технические характеристики STMicroelectronics STP100NF04, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
40.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-220
Текущий рейтинг:
120 A
Continuous Drain Current (Ids):
120 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Not Recommended for New Designs
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
300 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
4.60 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
40.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
40.0 V
- N-channel 40 V, 0.0043 Ohm typ., 120 A, STripFET(TM) II Power MOSFET in TO-220 package
- Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
- N-Channel 40 V 4.6 mO Flange Mount STripFET II Power MosFet - TO-220
Документы по STMicroelectronics STP100NF04, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на STMicroelectronics STP100NF04, сравнение характеристик.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 40.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -16.0 V to 16.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 120 A.
Gate Charge 72.0 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 120 A.
Входная емкость 6.40 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Through Hole.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 300 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 3.00 mΩ.
Время нарастания 270 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 40.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 40.0 V.