Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

STMicroelectronics
STP100NF04

N-channel 40 V, 0.0043 Ohm typ., 120 A, STripFET(TM) II Power MOSFET in TO-220 package

Цена от 79,20 ₽ до 1 873,18 ₽
Datasheet

Наличие STMicroelectronics STP100NF04 на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 3
В наличии до 3550 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 183,27 ₽ до 1 873,18 ₽
Европейский союз
На складе 3550 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 07:39 18.02.2021
221,82 ₽ от 50 шт.
184,52 ₽ от 100 шт.
184,29 ₽ от 200 шт.
184,06 ₽ от 300 шт.
183,81 ₽ от 400 шт.
183,55 ₽ от 500 шт.
183,27 ₽ от 5000 шт.
Польша
На складе 7 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
285,68 ₽ от 1 шт.
257,11 ₽ от 3 шт.
226,26 ₽ от 10 шт.
204,55 ₽ от 50 шт.
190,83 ₽ от 250 шт.
Британия
На складе 123 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:33 18.02.2021
1 873,18 ₽ от 1 шт.
1 411,88 ₽ от 10 шт.
1 090,36 ₽ от 100 шт.
922,61 ₽ от 500 шт.
775,83 ₽ от 1000 шт.
Америка 8
В наличии до 8239 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 121,80 ₽ до 310,04 ₽
США
На складе 829 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:27 17.02.2021
Упаковка Tube
281,25 ₽ от 1 шт.
239,17 ₽ от 10 шт.
239,17 ₽ от 50 шт.
186,02 ₽ от 100 шт.
131,77 ₽ от 1000 шт.
121,80 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 200 шт.
MOQ 8 шт.
Обновлено 17:51 18.02.2021
227,91 ₽ от 25 шт.
167,71 ₽ от 100 шт.
141,91 ₽ от 500 шт.
124,25 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 205 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:15 18.02.2021
255,09 ₽ от 1 шт.
222,67 ₽ от 10 шт.
185,21 ₽ от 100 шт.
155,44 ₽ от 500 шт.
129,97 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 123 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:58 18.02.2021
307,47 ₽ от 1 шт.
261,41 ₽ от 10 шт.
202,68 ₽ от 100 шт.
171,58 ₽ от 500 шт.
143,95 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 2850 шт.
Обновлено 11:48 04.02.2021
171,87 ₽ от 200 шт.
США
На складе 700 шт.
MOQ 100 шт.
Обновлено 19:10 18.02.2021
192,31 ₽ от 100 шт.
179,65 ₽ от 700 шт.
США
На складе 382 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:19 18.02.2021
Упаковка Tube
310,04 ₽ от 1 шт.
257,55 ₽ от 10 шт.
249,14 ₽ от 25 шт.
204,97 ₽ от 100 шт.
191,12 ₽ от 500 шт.
США
На складе 8239 шт.
Обновлено 00:10 18.02.2021
Цена по запросу.
Азия 3
В наличии до 4150 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 79,20 ₽ до 384,06 ₽
Китай
На складе 870 шт.
MOQ 55 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
117,41 ₽ от 55 шт.
96,90 ₽ от 135 шт.
93,98 ₽ от 205 шт.
91,05 ₽ от 280 шт.
88,12 ₽ от 365 шт.
79,20 ₽ от 485 шт.
Сингапур
На складе 123 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:53 18.02.2021
384,06 ₽ от 1 шт.
326,30 ₽ от 10 шт.
255,07 ₽ от 100 шт.
214,65 ₽ от 500 шт.
180,00 ₽ от 1000 шт.
167,48 ₽ от 5000 шт.
160,75 ₽ от 10000 шт.
Израиль
На складе 4150 шт.
Обновлено 15:57 26.01.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики STMicroelectronics STP100NF04, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
40.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-220
Текущий рейтинг:
120 A
Continuous Drain Current (Ids):
120 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Not Recommended for New Designs
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
300 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
4.60 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
40.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
40.0 V
  • N-channel 40 V, 0.0043 Ohm typ., 120 A, STripFET(TM) II Power MOSFET in TO-220 package
  • Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
  • N-Channel 40 V 4.6 mO Flange Mount STripFET™ II Power MosFet - TO-220

Документы по STMicroelectronics STP100NF04, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(20 страниц, 16.05.2013)

Товары похожие на STMicroelectronics STP100NF04, сравнение характеристик.

STMicroelectronics STP200NF04L
Цена от до
Breakdown Voltage (Drain to Source) 40.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -16.0 V to 16.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 120 A.
Gate Charge 72.0 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 120 A.
Входная емкость 6.40 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Through Hole.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 300 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 3.00 mΩ.
Время нарастания 270 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 40.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 40.0 V.