Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

STMicroelectronics
STP80NF12

N-channel 120V-0.013 OHM-80A TO-220 Stripfet II Mosfet

Цена от 108,38 ₽ до 2 099,87 ₽
Datasheet

Наличие STMicroelectronics STP80NF12 на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена

Технические характеристики STMicroelectronics STP80NF12, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
120 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-220
Текущий рейтинг:
80.0 A
Continuous Drain Current (Ids):
80.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
300 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
18.0 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
120 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
120 V
  • N-CHANNEL 120V-0.013 OHM-80A TO-220 STripFET II MOSFET
  • Trans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
  • N-Channel 120 V 18 mO 140 nC Flange Mount STripFET II Power Mosfet - TO-220
  • Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 120V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
  • Полярность транзистора: n канал
  • Напряжение истока стока Vds: 120 В
  • Идентификатор постоянного тока утечки: 80A
  • На сопротивлении Rds (On): 0,013 Ом
  • Монтаж транзистора: через отверстие
  • Rds(On) Test Voltage Vgs:10V
  • Пороговое напряжение Vgs: 2 В
  • Ассортимент продукции: - Соответствие Rohs: Да

Документы по STMicroelectronics STP80NF12, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(, 24.11.2008)