Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

STMicroelectronics
STS4DPF20L

Dual P-Channel 20V - 0.07 Ohm - 4A SO-8 STripFET(TM) POWER MOSFET

Цена от 64,59 ₽ до 246,71 ₽
Datasheet

Наличие STMicroelectronics STS4DPF20L на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 2
В наличии до 220 шт.
MOQ от 5 шт.
Цена от 197,37 ₽ до 246,71 ₽
Британия
На складе 5 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 00:55 26.02.2021
246,71 ₽ от 5 шт.
231,99 ₽ от 25 шт.
219,69 ₽ от 50 шт.
207,40 ₽ от 125 шт.
197,37 ₽ от 250 шт.
Британия
На складе 220 шт.
Обновлено 21:49 15.02.2021
Цена по запросу.
Америка 3
В наличии до 300 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 129,28 ₽ до 195,12 ₽
США
На складе 125 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:18 25.02.2021
Упаковка Cut Tape
195,12 ₽ от 1 шт.
162,41 ₽ от 10 шт.
157,11 ₽ от 25 шт.
129,28 ₽ от 100 шт.
США
На складе 300 шт.
Обновлено 22:06 21.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 31 шт.
Обновлено 11:41 25.02.2021
Цена по запросу.
Азия 1
В наличии до 4885 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 64,59 ₽ до 109,82 ₽
Китай
На складе 4885 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:35 22.02.2021
109,82 ₽ от 1 шт.
79,51 ₽ от 10 шт.
73,91 ₽ от 30 шт.
68,32 ₽ от 100 шт.
65,99 ₽ от 500 шт.
64,59 ₽ от 1000 шт.

Технические характеристики STMicroelectronics STS4DPF20L, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
20.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-16.0 V to 16.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Текущий рейтинг:
-4.00 A
Continuous Drain Current (Ids):
4.00 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Not Recommended for New Designs
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tape
Количество выводов:
8
Полярность:
P-Channel, Dual P-Channel
Рассеяние мощности:
2.00 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
80.0 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
20.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
-20.0 V
  • Dual P-Channel 20V - 0.07 Ohm - 4A SO-8 STripFET(TM) POWER MOSFET
  • MOSFET 2 P Channel(Dual) 20V 4A 2.5V @ 250uA 80 m¦¸ @ 2A,10V SOIC-8_150mil RoHS
  • Dual P-Channel 20 V 0.08 Ohm Surface Mount STripFET™ Power Mosfet - SOIC-8
  • MOSFET Dual P-Ch 20V 4A STripFET SOIC8
  • MOSFET P CH DUAL 20V 4A 8-SOIC
  • Transistor Polarity:P Channel
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
  • Пороговое напряжение Vgs Typ: 1,6 В
  • Рассеиваемая мощность Pd: 2 Вт
  • Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C
  • Тип корпуса транзистора: SOIC
  • Количество контактов: 8
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
  • Id постоянного тока стока: 2A
  • Current Id Max:4A
  • Напряжение источника стока Vds: 20 В
  • Конфигурация модуля: двойной
  • На сопротивлении Rds (вкл.): 70 МОм
  • Упаковка / ящик: SOIC
  • Рассеиваемая мощность Pd: 2 Вт
  • Тип завершения: SMD
  • Тип транзистора: силовой MOSFET
  • Напряжение Vds Typ: 20 В
  • Voltage Vgs Max:16V
  • Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В

Документы по STMicroelectronics STS4DPF20L, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(8 страниц, 22.03.2010)