STMicroelectronics
STW20NM50FD
N-Channel 500V - 0.22Ohm - 20A - TO-247 FDmesh(TM) POWER MOSFET (with FAST DIODE)
Цена от 206,34 ₽ до 4 523,97 ₽
Наличие STMicroelectronics STW20NM50FD на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 51 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
На складе 1140 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 07:49 23.02.2021
На складе 288 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:53 23.02.2021
На складе 25 шт.
Обновлено 21:49 15.02.2021
Цена по запросу.
На складе 40 шт.
Обновлено 15:03 22.02.2021
Цена по запросу.
На складе 24 шт.
Обновлено 13:54 23.02.2021
Цена по запросу.
На складе 870 шт.
MOQ 90 шт.
Обновлено 17:33 22.02.2021
На складе 21 шт.
Обновлено 18:36 23.02.2021
На складе 600 шт.
MOQ 600 шт.
Обновлено 02:48 20.02.2021
На складе 217 шт.
Обновлено 11:25 22.02.2021
На складе 165 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:38 22.02.2021
Упаковка Tube На складе 66 шт.
MOQ 2 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
На складе 66 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:26 23.02.2021
На складе 170 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:53 23.02.2021
На складе 600 шт.
MOQ 600 шт.
Обновлено 02:53 23.02.2021
На складе 420 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Tube На складе 300 шт.
Обновлено 22:06 21.02.2021
Цена по запросу.
На складе 600 шт.
Обновлено 20:24 19.02.2021
Цена по запросу.
На складе 1155 шт.
Обновлено 17:57 22.02.2021
Цена по запросу.
На складе 1020 шт.
MOQ 600 шт.
Обновлено 10:26 23.02.2021
На складе 8 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:35 22.02.2021
На складе 66 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:42 23.02.2021
На складе 166 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 23.02.2021
На складе 950 шт.
Обновлено 21:33 21.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики STMicroelectronics STW20NM50FD, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
500 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-30.0 V to 30.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-247
Текущий рейтинг:
20.0 A
Continuous Drain Current (Ids):
20.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Not Recommended for New Designs
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
214 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
220 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
20.0 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
500 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
500 V
- N-Channel 500V - 0.22Ohm - 20A - TO-247 FDmesh(TM) POWER MOSFET (with FAST DIODE)
- N-Channel 500 V 0.25 Ohm Flange Mount FDmesh Power MosFet - TO-247
- Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247