STMicroelectronics
VND3NV04TR-E
VND3NV04 Series 36 V 3.5 A OMNIFET II fully Auto Protected Power MOSFET-DPAK
Цена от 56,98 ₽ до 180,92 ₽
Наличие STMicroelectronics VND3NV04TR-E на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
Технические характеристики STMicroelectronics VND3NV04TR-E, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
40.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-252
Continuous Drain Current (Ids):
3.50 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Reel
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
35.0 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
120 mΩ
RoHS:
Compliant
- VND3NV04 Series 36 V 3.5 A OMNIFET II fully Auto Protected Power MOSFET-DPAK
- Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 7A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
- Power MOSFET Transistors N-Ch 40V 3.5A Omni
- Power Switch Lo Side 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
- IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK
- MOSFET OMNIFETII 40V 3.5A DPAK
Документы по STMicroelectronics VND3NV04TR-E, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на STMicroelectronics VND3NV04TR-E, сравнение характеристик.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 40.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-223.
Continuous Drain Current (Ids) 3.50 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 7.00 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 120 mΩ.
RoHS Compliant.