Компоненты » Интегральные схемы (ИС) » Линейные ИС » Усилители - операционные усилители, буферные, измерительные приборы
Texas Instruments
LM358AMX/NOPB
2-канальный, 1 МГц, промышленный стандарт, операционный усилитель 32 В 8-SOIC от 0 до 70
Цена от 28,19 ₽ до 113,25 ₽
Наличие Texas Instruments LM358AMX/NOPB на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
Технические характеристики Texas Instruments LM358AMX/NOPB, атрибуты и параметры.
Пропускная способность:
1.00 MHz
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Продукт увеличения пропускной способности:
1.00 MHz
Input Offset Drift:
7.00 µV/K
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Количество каналов:
2
Количество контуров:
2
Рабочая Температура:
70.0 °C (max)
Выходной ток:
20.0 mA
Упаковка:
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Количество выводов:
8
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Скорость нарастания:
100 mV/μs
Supply Current:
2.00 mA (max)
- 2-канальный, 1 МГц, промышленный стандарт, операционный усилитель 32 В 8-SOIC от 0 до 70
- Двойной маломощный усилитель на ОУ ± 16 В / 32 В, 8-контактный SOIC T / R
- IC, OP-AMP, 1MHZ, 0.1V/ us, SOIC-8
- Op A
- IC, OP-AMP, 1MHZ, 0.1V/ us, SOIC-8
- Тип операционного усилителя: маломощный
- Кол-во усилителей: 2
- Полоса пропускания: 1 МГц
- Скорость нарастания: 0,1 В / мкс
- Диапазон напряжения питания: от 3 В до 32 В
- Стиль корпуса усилителя: SOIC
- Количество контактов: 8
- Диапазон рабочих температур: от 0 ° C до + 70 ° C
Документы по Texas Instruments LM358AMX/NOPB, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Texas Instruments LM358AMX/NOPB, сравнение характеристик.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 7.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Выходной ток 20.0 mA.
Упаковка Tape & Reel (TR).
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 100 mV/μs.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 7.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура 0.00 °C to 70.0 °C.
Выходной ток 20.0 mA.
Упаковка Rail.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 100 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 5.00 V.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 7.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура 0.00 °C to 70.0 °C.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 100 mV/μs.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 7.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура 70.0 °C (max).
Выходной ток 20.0 mA.
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 100 mV/μs.
Supply Current 700 µA.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс VSSOP.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 7.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура 0.00 °C to 70.0 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 100 mV/μs.
Supply Current 2.00 mA (max).
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 7.00 µV/K.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура 70.0 °C (max).
Выходной ток 20.0 mA.
Упаковка Rail.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Non-Compliant.
Скорость нарастания 100 mV/μs.
Supply Current 2.00 mA (max).
Supply Voltage (DC) 5.00 V.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 7.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Выходной ток 20.0 mA.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 100 mV/μs.
Supply Current 2.00 mA (max).
Supply Voltage (DC) 26.0 V.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 7.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура 0.00 °C to 70.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 100 mV/μs.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс VSSOP.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 7.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура 0.00 °C to 70.0 °C.
Упаковка Tape.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 100 mV/μs.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 7.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура 0.00 °C to 70.0 °C.
Выходной ток 20.0 mA.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 100 mV/μs.
Supply Current 2.00 mA (max).