Компоненты » Интегральные схемы (ИС) » Линейные ИС » Усилители - операционные усилители, буферные, измерительные приборы
Texas Instruments
LMV342ID
Dual ail-To- ail Output CMOS Operational Amplifier with Shutdown 8-SOIC -40 to 125
Цена от 28,30 ₽ до 203,57 ₽
Наличие Texas Instruments LMV342ID на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 148 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:06 23.02.2021
Упаковка Tube На складе 454 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:38 22.02.2021
Упаковка Tube На складе 955 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Tube На складе 12450 шт.
Обновлено 10:06 23.02.2021
На складе 360 шт.
Обновлено 11:25 22.02.2021
На складе 347 шт.
Обновлено 17:57 22.02.2021
Цена по запросу.
На складе 450 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 21:20 12.02.2021
Технические характеристики Texas Instruments LMV342ID, атрибуты и параметры.
Пропускная способность:
1.00 MHz
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Продукт увеличения пропускной способности:
1.00 MHz
Input Offset Drift:
1.90 µV/K
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Количество каналов:
2
Рабочая Температура:
-40.0 °C to 125 °C
Упаковка:
Tube, Rail
Количество выводов:
8
RoHS:
Compliant
Скорость нарастания:
1.00 V/μs
- Dual ail-To- ail Output CMOS Operational Amplifier with Shutdown 8-SOIC -40 to 125
- Op Amp Dual Low Voltage Amplifier R-R O/P 5.5V 8-Pin SOIC Tube
- IC, OP AMP, 1MHZ, 1V/ us, SOIC-8
- DUAL RAIL-TO-RAIL OUTPUT CMOS OP AMP
Документы по Texas Instruments LMV342ID, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Texas Instruments LMV342ID, сравнение характеристик.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 1.90 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Выходной ток 75.0 mA.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 1.90 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 1.90 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Выходной ток 75.0 mA.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max).
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 1.90 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 1.90 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 1.90 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 14.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.